[發明專利]光掩模的修正方法及修正裝置、帶保護膜的光掩模的制造方法、顯示裝置的制造方法在審
| 申請號: | 202010143020.X | 申請日: | 2020-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN111665681A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 宮崎由寬 | 申請(專利權)人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/72 | 分類號: | G03F1/72;G03F1/76;G03F1/48 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 朱麗娟;崔成哲 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 修正 方法 裝置 保護膜 制造 顯示裝置 | ||
提供光掩模的修正方法及修正裝置、帶保護膜的光掩模的制造方法、顯示裝置的制造方法,能夠在不從光掩模卸下保護膜的情況下對轉印用圖案的缺陷進行修正。一種光掩模的修正方法,對光掩模的轉印用圖案中所產生的缺陷進行修正,該光掩模在透明基板的主表面上具有所述轉印用圖案,其中,該光掩模的修正方法具有成膜工序,在該成膜工序中,在所述光掩模上粘貼有保護膜的狀態下,將原料氣體導入到由所述光掩模和所述保護膜形成的保護膜空間中,并且透過所述保護膜具有的保護膜膜體朝缺陷部位照射激光,使所述原料氣體發生反應,由此使修正膜堆積在所述缺陷部位。
技術領域
本發明涉及光掩模的修正方法、光掩模的修正裝置、帶保護膜的光掩模的制造方法和顯示裝置的制造方法。
背景技術
作為光掩模的制造方法,已知有對在透明基板上形成有至少1個薄膜的光掩模基板應用光刻法形成轉印用圖案的方法。近年來,顯示裝置用光掩模的圖案尺寸存在細微化的動向。另一方面,在光掩模的制造過程中,由于薄膜的圖案形成的不完全或異物的附著等,難以完全避免轉印用圖案的缺陷。
以往,作為光掩模的缺陷的修正方法,已知有激光CVD(Chemical VaporDeposition:化學氣相沉積)法(參照專利文獻1)。此外,為了抑制異物附著到已完成的光掩模上,根據需要,有時在形成有光掩模的轉印用圖案的面側粘貼被稱作保護膜(Pellicle)的部件。該保護膜例如記載在專利文獻2中。
專利文獻1:日本特開平2-140744號公報
專利文獻2:日本特開平9-68792號公報
發明內容
但是,專利文獻1、2中均未公開對粘貼有保護膜的光掩模的缺陷進行修正的方法。在需要在粘貼保護膜之后進行修正的情況下,需要從光掩模取下保護膜以進行修正,在修正完成之后將新的保護膜粘貼到光掩模。因此,生產性能的降低、成本的增加成為問題。
因此,本發明的目的在于提供一種能夠在不從光掩模取下保護膜的情況下對轉印用圖案的缺陷進行修正的光掩模的修正方法。
本發明的目的還在于提供光掩模的修正裝置、帶保護膜的光掩模的制造方法和顯示裝置的制造方法。
(第1方式)
根據本發明的第1方式,提供一種光掩模的修正方法,對光掩模的轉印用圖案中所產生的缺陷進行修正,該光掩模在透明基板的主表面上具有所述轉印用圖案,其中,該光掩模的修正方法具有成膜工序,在該成膜工序中,在所述光掩模上粘貼有保護膜的狀態下,將原料氣體導入到由所述光掩模和所述保護膜形成的保護膜空間中,并且透過所述保護膜具有的保護膜膜體朝缺陷部位照射激光,使所述原料氣體發生反應,由此使修正膜堆積在所述缺陷部位。
(第2方式)
根據本發明的第2方式,提供根據第1方式所述的光掩模的修正方法,其中,
在所述成膜工序中,從設置在所述保護膜所具有的保護膜框上的保護膜通氣口導入所述原料氣體。
(第3方式)
根據本發明的第3方式,
提供根據第2方式所述的光掩模的修正方法,其中,所述保護膜被夾具夾持,該夾具具有能夠與所述保護膜通氣口緊貼的開口部,
在所述成膜工序中,通過所述開口部從所述保護膜通氣口導入所述原料氣體。
(第4方式)
根據本發明的第4方式,提供根據第1方式~第3方式中的任意一個所述的光掩模的修正方法,其中,
在所述成膜工序之后具有氣體置換工序,在該氣體置換工序中,通過將置換氣體導入到所述保護膜空間內,將所述原料氣體從所述保護膜空間排出。
(第5方式)
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





