[發(fā)明專利]光掩模的修正方法及修正裝置、帶保護膜的光掩模的制造方法、顯示裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010143020.X | 申請日: | 2020-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN111665681A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宮崎由寬 | 申請(專利權(quán))人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/72 | 分類號: | G03F1/72;G03F1/76;G03F1/48 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 朱麗娟;崔成哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模 修正 方法 裝置 保護膜 制造 顯示裝置 | ||
1.一種光掩模的修正方法,對光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案中所產(chǎn)生的缺陷進行修正,該光掩模在透明基板的主表面上具有所述轉(zhuǎn)印用圖案,其中,
該光掩模的修正方法具有成膜工序,在該成膜工序中,在所述光掩模上粘貼有保護膜的狀態(tài)下,將原料氣體導入到由所述光掩模和所述保護膜形成的保護膜空間中,并且透過所述保護膜具有的保護膜膜體朝缺陷部位照射激光,使所述原料氣體發(fā)生反應,由此使修正膜堆積在所述缺陷部位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模的修正方法,其中,
在所述成膜工序中,從設置在所述保護膜所具有的保護膜框上的保護膜通氣口導入所述原料氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光掩模的修正方法,其中,
所述保護膜被夾具夾持,該夾具具有能夠與所述保護膜通氣口緊貼的開口部,
在所述成膜工序中,通過所述開口部從所述保護膜通氣口導入所述原料氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項所述的光掩模的修正方法,其中,
在所述成膜工序之后具有氣體置換工序,在該氣體置換工序中,通過將置換氣體導入到所述保護膜空間內(nèi),將所述原料氣體從所述保護膜空間排出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任意一項所述的光掩模的修正方法,其中,
在所述成膜工序中,對所述光掩模進行加溫。
6.一種帶保護膜的光掩模的制造方法,其中,
該帶保護膜的光掩模的制造方法具有如下的工序:使用權(quán)利要求1~5中的任意一項所述的光掩模的修正方法,對形成在所述光掩模上的轉(zhuǎn)印用圖案的缺陷進行修正。
7.一種顯示裝置的制造方法,具有以下工序:
準備通過權(quán)利要求6所述的制造方法制造的帶保護膜的光掩模;以及
使用曝光裝置對所述帶保護膜的光掩模進行曝光,將轉(zhuǎn)印用圖案轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印體。
8.一種光掩模的修正裝置,對光掩模的轉(zhuǎn)印用圖案中所產(chǎn)生的缺陷進行修正,該光掩模在透明基板的主表面上具有所述轉(zhuǎn)印用圖案,其中,該光掩模的修正裝置具有:
掩模保持架,其保持在所述主表面上粘貼有保護膜的狀態(tài)的所述光掩模;
氣體導入管,其用于將原料氣體導入到由所述光掩模和所述保護膜形成的保護膜空間中;
激光照射單元,其透過所述保護膜具有的保護膜膜體朝缺陷部位照射激光;
激光水平移動單元,其使所述激光照射單元在XY平面內(nèi)移動;以及
控制單元,其對所述激光水平移動單元進行控制。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光掩模的修正裝置,其中,
該光掩模的修正裝置還具有夾具,該夾具具有中空的一對臂,
所述一對臂中的至少一方具有開口部,該開口部與所述氣體導入管連接,并且能夠與設置在所述保護膜具有的保護膜框上的保護膜通氣口緊貼,
所述夾具利用所述一對臂夾持所述保護膜框,使得所述開口部與所述保護膜通氣口緊貼。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光掩模的修正裝置,其中,
該光掩模的修正裝置還具有氣體排出管,該氣體排出管用于將剩余的所述原料氣體從所述保護膜空間排出。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光掩模的修正裝置,其中,
該光掩模的修正裝置還具有加熱器,該加熱器對所述光掩模進行加溫。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





