[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010142793.6
• 申請日: 2020-03-04
• 公開（公告）號: CN112509614A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 位田友哉
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 張軼楠;段承恩

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

設(shè)置在基板的上表面的N型的第1阱區(qū)域和P型的第2阱區(qū)域；

設(shè)置在所述第1阱區(qū)域的PMOS晶體管；以及

設(shè)置在所述第2阱區(qū)域的NMOS晶體管，

所述PMOS晶體管具備：

設(shè)置在所述第1阱區(qū)域上的第1柵極絕緣層；和

設(shè)置在所述第1柵極絕緣層上的第1柵電極，

所述NMOS晶體管具備：

設(shè)置在所述第2阱區(qū)域上的第2柵極絕緣層；和

設(shè)置在所述第2柵極絕緣層上的第2柵電極，

所述第1柵電極具備：

P型的第1半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層上的第1絕緣層；以及

設(shè)置在所述第1絕緣層上的第1導(dǎo)電體層，

所述第2柵電極具備：

N型的第2半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層上的第2絕緣層；以及

設(shè)置在所述第2絕緣層上的第2導(dǎo)電體層，

所述第1絕緣層的膜厚比所述第2絕緣層的膜厚厚。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述PMOS晶體管還具備設(shè)置在所述第1阱區(qū)域的上表面的P型的第1擴散層以及第2擴散層，

所述第1柵極絕緣層設(shè)置在所述第1擴散層與所述第2擴散層之間的所述第1阱區(qū)域上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述NMOS晶體管還具備設(shè)置在所述第2阱區(qū)域的上表面的N型的第3擴散層以及第4擴散層，

所述第2柵極絕緣層設(shè)置在所述第3擴散層與所述第4擴散層之間的所述第2阱區(qū)域上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還具備：

設(shè)置在所述第1導(dǎo)電體層上的第1插塞；和

設(shè)置在所述第2導(dǎo)電體層上的第2插塞。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述第1柵電極還具備含有碳的P型的第3半導(dǎo)體層，所述第3半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第1柵極絕緣層與所述第1半導(dǎo)體層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

所述第2柵電極還具備含有碳的N型的第4半導(dǎo)體層，所述第4半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層與所述第2絕緣層之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還具備：

第1布線層，其設(shè)置在所述PMOS晶體管以及所述NMOS晶體管的上方；

多個第2布線層，其分離地層疊在所述第1布線層的上方；以及

第5半導(dǎo)體層，其穿過所述多個第2布線層，與所述第1布線層連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，還具備：

電荷蓄積層，其設(shè)置在所述多個第2布線層與所述第5半導(dǎo)體層之間；

第4絕緣層，其設(shè)置在所述多個第2布線層與所述電荷蓄積層之間；以及

第3絕緣層，其設(shè)置在所述電荷蓄積層與所述第5半導(dǎo)體層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

所述第2柵電極還具備含有碳的N型的第4半導(dǎo)體層，所述第4半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層與所述第2絕緣層之間。

10.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

設(shè)置在基板的上表面的N型的第1阱區(qū)域；和

設(shè)置在所述第1阱區(qū)域的PMOS晶體管，

所述PMOS晶體管具備：

設(shè)置在所述第1阱區(qū)域上的第1柵極絕緣層；和

設(shè)置在所述第1柵極絕緣層上的第1柵電極，

所述第1柵電極具備：

含有碳的P型的第1半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層上的P型的第2半導(dǎo)體層；

設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層上的第1絕緣層；以及

設(shè)置在所述第1絕緣層上的第1導(dǎo)電體層。