[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010142793.6 | 申請日： | 2020-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN112509614A | 公開（公告）日： | 2021-03-16 |
| 發明（設計）人： | 位田友哉 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C5/02 | 分類號： | G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
設置在基板的上表面的N型的第1阱區域和P型的第2阱區域；
設置在所述第1阱區域的PMOS晶體管；以及
設置在所述第2阱區域的NMOS晶體管，
所述PMOS晶體管具備：
設置在所述第1阱區域上的第1柵極絕緣層；和
設置在所述第1柵極絕緣層上的第1柵電極，
所述NMOS晶體管具備：
設置在所述第2阱區域上的第2柵極絕緣層；和
設置在所述第2柵極絕緣層上的第2柵電極，
所述第1柵電極具備：
P型的第1半導體層；
設置在所述第1半導體層上的第1絕緣層；以及
設置在所述第1絕緣層上的第1導電體層，
所述第2柵電極具備：
N型的第2半導體層；
設置在所述第2半導體層上的第2絕緣層；以及
設置在所述第2絕緣層上的第2導電體層，
所述第1絕緣層的膜厚比所述第2絕緣層的膜厚厚。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，
所述PMOS晶體管還具備設置在所述第1阱區域的上表面的P型的第1擴散層以及第2擴散層，
所述第1柵極絕緣層設置在所述第1擴散層與所述第2擴散層之間的所述第1阱區域上。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，
所述NMOS晶體管還具備設置在所述第2阱區域的上表面的N型的第3擴散層以及第4擴散層，
所述第2柵極絕緣層設置在所述第3擴散層與所述第4擴散層之間的所述第2阱區域上。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，還具備：
設置在所述第1導電體層上的第1插塞；和
設置在所述第2導電體層上的第2插塞。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，
所述第1柵電極還具備含有碳的P型的第3半導體層，所述第3半導體層設置在所述第1柵極絕緣層與所述第1半導體層之間。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置，
所述第2柵電極還具備含有碳的N型的第4半導體層，所述第4半導體層設置在所述第2半導體層與所述第2絕緣層之間。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還具備：
第1布線層，其設置在所述PMOS晶體管以及所述NMOS晶體管的上方；
多個第2布線層，其分離地層疊在所述第1布線層的上方；以及
第5半導體層，其穿過所述多個第2布線層，與所述第1布線層連接。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置，還具備：
電荷蓄積層，其設置在所述多個第2布線層與所述第5半導體層之間；
第4絕緣層，其設置在所述多個第2布線層與所述電荷蓄積層之間；以及
第3絕緣層，其設置在所述電荷蓄積層與所述第5半導體層之間。
9.根據權利要求5所述的半導體裝置，
所述第2柵電極還具備含有碳的N型的第4半導體層，所述第4半導體層設置在所述第2半導體層與所述第2絕緣層之間。
10.一種半導體裝置，具備：
設置在基板的上表面的N型的第1阱區域；和
設置在所述第1阱區域的PMOS晶體管，
所述PMOS晶體管具備：
設置在所述第1阱區域上的第1柵極絕緣層；和
設置在所述第1柵極絕緣層上的第1柵電極，
所述第1柵電極具備：
含有碳的P型的第1半導體層；
設置在所述第1半導體層上的P型的第2半導體層；
設置在所述第2半導體層上的第1絕緣層；以及
設置在所述第1絕緣層上的第1導電體層。
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