[發(fā)明專利]一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010142196.3
• 申請(qǐng)日: 2020-03-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111206214A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鮑剛?cè)A;羅云峰;盧成;王偉;張勇軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/02
• 分類號(hào): C23C14/02;C23C14/30;C23C14/26;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/54
• 代理公司: 成都其高專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 51244
• 代理人: 賈波

1.一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，采用真空室進(jìn)行硫系玻璃的鍍膜加工，其特征在于：熔料開(kāi)始前真空室在120～130℃，條件下恒溫不小于30min，且在進(jìn)行離子源清洗硫系玻璃基底和離子源助鍍過(guò)渡層薄膜時(shí)離子能量參數(shù)皆為電壓240-280V，電流7-10A，鍍膜結(jié)束后采用階梯降溫的方式冷卻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述工藝方法包括下述具體步驟：

1)開(kāi)始抽氣后將真空室調(diào)至120～130℃，并恒溫不小于30min；

2)熔料前處理及熔料；

3)經(jīng)步驟2)后，在參數(shù)值電壓為240-280V，電流為7-10A的條件下采用離子源進(jìn)行硫系玻璃基底的清洗；

4)采用離子源在電壓240-280V，電流7-10A的條件下進(jìn)行過(guò)渡層薄膜的助鍍；

5)而后對(duì)光學(xué)增透膜采用離子源在電壓120-160V，電流1-2A的條件下進(jìn)行助鍍；

6)鍍膜結(jié)束后按單次20℃/20～40min的梯度進(jìn)行階梯降溫，且每到一個(gè)階梯值后恒溫40min，直至降溫至室內(nèi)溫度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述步驟2)包括下述具體步驟：

2.1)清理真空室，添加鍍膜所需要的膜料，檢查晶控片活性，清潔硫系玻璃基底后放入真空室內(nèi)；

2.2)密閉真空室、抽真空且烘烤加溫；

2.3)待真空室內(nèi)真空度到(3.0～5.0)×10^-3Pa時(shí)，開(kāi)始熔料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：在進(jìn)行硫系玻璃基底的清洗時(shí)，真空室的真空度為(1.0～2.0)×10^-3Pa。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述硫系玻璃在鍍膜時(shí)，Zns和YbF₃采用電阻熱蒸發(fā)，Ge采用電子束熱蒸發(fā)，ZnS的速率為8～12A/s，YbF₃的速率為5～8A/s，Ge的速率為2～3A/s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述硫系玻璃在鍍膜時(shí)，Zns和YbF₃采用電阻熱蒸發(fā)，Ge采用電子束熱蒸發(fā)，ZnS的速率為10A/s，YbF₃的速率為6A/s，Ge的速率為2.5A/s。

7.根據(jù)權(quán)利要求2～3任一項(xiàng)所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述過(guò)渡層薄膜為ZnS，所述光學(xué)增透膜包括2層ZnS、1層Ge和1層YbF₃。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述光學(xué)增透膜在硫系玻璃基底上的分布為：Ge層與過(guò)渡層薄膜之間為ZnS層，兩層ZnS之間為YbF₃層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～3、5、8任一項(xiàng)所述的一種有效改善硫系玻璃鍍膜膜層牢固度問(wèn)題的鍍膜工藝，其特征在于：所述硫系玻璃基底的型號(hào)為IG6。