[發(fā)明專利]包括電容器的半導(dǎo)體裝置及其制造方法及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010141125.1 | 申請日： | 2020-03-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111326509B | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱慧瓏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/06 | 分類號(hào)： | H01L27/06;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 電容器 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 電子設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
豎直半導(dǎo)體器件，包括在襯底的第一區(qū)域上豎直延伸的有源區(qū)；以及
電容器，包括在所述襯底的與所述第一區(qū)域不同的第二區(qū)域上依次疊置的第一電容器電極、電容器電介質(zhì)層和第二電容器電極，
其中，所述第一電容器電極在所述襯底上豎直延伸，且包括導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料包含所述豎直半導(dǎo)體器件的有源區(qū)中所含的半導(dǎo)體元素中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在豎直方向上，所述第一電容器電極中包含的所述至少一種半導(dǎo)體元素在元素種類和/或元素含量方面具有變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述變化是在相對于襯底的一定高度上的突變。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在豎直方向上，所述至少一種半導(dǎo)體元素在元素種類和/或元素含量方面在所述豎直半導(dǎo)體器件中的至少一部分中具有與所述變化實(shí)質(zhì)相同的變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在豎直方向上，所述第一電容器電極中半導(dǎo)體元素的分布與所述豎直半導(dǎo)體器件的有源區(qū)中半導(dǎo)體元素的分布實(shí)質(zhì)上相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一電容器電極的頂面與所述豎直半導(dǎo)體器件的有源區(qū)的頂面相對于所述襯底處于實(shí)質(zhì)上相同的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，
所述第一電容器電極包括在豎直方向上依次設(shè)置的下部、中部和上部，
所述豎直半導(dǎo)體器件的有源區(qū)包括在豎直方向上依次疊置的第一源/漏層、溝道層和第二源/漏層，
其中，所述第一電容器電極的下部包含所述第一源/漏層的半導(dǎo)體元素，所述第一電容器電極的中部包含所述溝道層的半導(dǎo)體元素，且所述第一電容器電極的上部包含所述第二源/漏層的半導(dǎo)體元素。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，以下至少之一成立：
所述第一電容器電極的下部與所述第一源/漏層實(shí)質(zhì)上共面；
所述第一電容器電極的中部與所述溝道層實(shí)質(zhì)上共面；
所述第一電容器電極的上部與所述第二源/漏層實(shí)質(zhì)上共面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述導(dǎo)電材料是所述至少一種半導(dǎo)體元素與金屬元素的導(dǎo)電化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一電容器電極靠近表面的一部分是所述導(dǎo)電化合物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一電容器電極的整體是所述導(dǎo)電化合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一電容器電極中還具有摻雜雜質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述摻雜雜質(zhì)與所述豎直半導(dǎo)體器件的源/漏區(qū)的摻雜雜質(zhì)相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在平面視圖下，所述第一電容器電極與所述豎直半導(dǎo)體器件的有源區(qū)具有實(shí)質(zhì)上相同的形狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述豎直半導(dǎo)體器件包括柵堆疊，所述柵堆疊包括依次設(shè)置的柵介質(zhì)層和柵導(dǎo)體層，
其中，以下至少之一成立：
所述電容器電介質(zhì)層包括與所述柵介質(zhì)層相同的介電材料，或
所述第二電容器電極包括與所述柵導(dǎo)體層相同的導(dǎo)電材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
