[發明專利]一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝

在審

• 申請號: 202010140558.5
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN113345799A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 黃偉瑜
• 申請（專利權）人: 銀特（上海）半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/50;H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，其特征在于：包括以下方法；

S1：芯片的原料；

S2：攙加雜質將晶圓中植入離子；

S3：晶圓測試；

S4：封裝；

S5：一般測試和特殊測試。

2.根據權利要求1所述的一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，其特征在于：所述S1晶圓，晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化(99.999%)，接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓，晶圓越薄，成產的成本越低,但對工藝就要求的越高，晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。

3.根據權利要求1所述的一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，其特征在于：所述S2生成相應的P、N類半導體，具體工藝是是從硅片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中，這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據，簡單的芯片可以只用一層，但復雜的芯片通常有很多層，這時候將這一流程不斷的重復，不同層可通過開啟窗口聯接起來，這一點類似所層PCB板的制作原理，更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層，這時候通過重復光刻以及上面流程來實現，形成一個立體的結構。

4.根據權利要求1所述的一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，其特征在于：所述S3晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒，通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。

5.根據權利要求1所述的一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，其特征在于：所述S4將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。

6.根據權利要求1所述的一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，其特征在于：所述S5前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等，經測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。