[發明專利]一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝

在審

• 申請號: 202010140558.5
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN113345799A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 黃偉瑜
• 申請（專利權）人: 銀特（上海）半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/50;H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝采用晶圓作為芯片的材料，在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解，這是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走，這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的等特點。

技術領域

本發明涉及半導體封裝工藝技術領域，具體為一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝。

背景技術

熔化極氣體保護焊是指利用焊絲與工件間產生的電弧作熱源將金屬熔化的焊接方法。焊接過程中，電弧熔化焊絲和母材形成的熔池及焊接區域在惰性氣體或活性氣體的保護下，可以有效地阻止周圍環境空氣的有害作用。

現有技術生產的成本高,對制造的方法高，本發明可以解決現有技術中的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，解決現有的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，包括以下方法；

S1：芯片的原料；

S2：攙加雜質將晶圓中植入離子；

S3：晶圓測試；

S4：封裝；

S5：一般測試和特殊測試。

優選的，所述S1晶圓，晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化(99.999%)，接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓，晶圓越薄，成產的成本越低,但對工藝就要求的越高，晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。

優選的，所述S2生成相應的P、N類半導體，具體工藝是是從硅片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中，這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據，簡單的芯片可以只用一層，但復雜的芯片通常有很多層，這時候將這一流程不斷的重復，不同層可通過開啟窗口聯接起來，這一點類似所層PCB板的制作原理，更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層，這時候通過重復光刻以及.上面流程來實現，形成一個立體的結構。

優選的，所述S3晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒，通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。

優選的，所述S4將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。

優選的，所述S5前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等，經測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明采用晶圓作為芯片的材料，在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解，這是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走，這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的說明，對本發明實施例中的技術方案進行清 楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是 全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造 性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明提供一種技術方案：

一種金屬液態化模式的半導體封裝工藝，包括以下方法；

S1：芯片的原料；

S2：攙加雜質將晶圓中植入離子；

S3：晶圓測試；

S4：封裝；

S5：一般測試和特殊測試。