[發明專利]一種基于熔化焊接的封裝工藝

在審

• 申請號: 202010139920.7
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN113363165A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 黃偉瑜
• 申請（專利權）人: 銀特（上海）半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種基于熔融焊接的封裝工藝采用薄的芯片更有利于散熱；2、減小芯片封裝體積；3、提高機械性能、硅片減薄、其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之間的連線也越短，元件導通電阻將越低，信號延遲時間越短，從而實現更高的性能；5、減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片加工量，降低芯片崩片的發生率等特點。

技術領域

本發明涉及熔化焊接的封裝工藝技術領域，具體為一種基于熔化焊接的封裝工藝。

背景技術

熔化極氣體保護焊是指利用焊絲與工件間產生的電弧作熱源將金屬熔化的焊接方法。焊接過程中，電弧熔化焊絲和母材形成的熔池及焊接區域在惰性氣體或活性氣體的保護下，可以有效地阻止周圍環境空氣的有害作用。

本發明采用薄的芯片更有利于散熱；2、減小芯片封裝體積；3、提高機械性能、硅片減薄、其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之間的連線也越短，元件導通電阻將越低，信號延遲時間越短，從而實現更高的性能；5、減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片加工量，降低芯片崩片的發生率。

發明內容

本發明的目的是提供一種基于熔融焊接的封裝工藝，解決現有真空焊接中的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種基于熔化焊接的封裝工藝，包括以下工藝；

S1：前段操作和后段操作；

S2：芯片封裝；

S3：硅片的背面減薄；

S4：先劃片后減薄；

S5：減薄劃片；

S6：芯片貼裝；

S7：共晶貼裝所采取的方法；

S8：芯片互連；

S9：凸點芯片的制作工藝；

S10：塑料封裝的成型技術；

S11：波峰焊；

S12：打線鍵合；

S13：芯片互連。

優選的，所述S1用塑料封裝之前的工藝步驟成為前段操作，在成型之后的工藝步驟成為后段操作。

優選的，所述S2硅片減薄硅片切割芯片貼裝，芯片互聯成型技術去飛邊毛刺切筋成型上焊錫打碼等工序。

優選的，所述S3磨削，研磨，化學機械拋光，干式拋光，電化學腐蝕，濕法腐蝕，等離子增強化學腐蝕，常壓等離子腐蝕等；

優選的，所述S4在背面磨削之前將硅片正面切割出一定深度的切口，然后再進行背面磨削。

優選的，所述S5在減薄之前，先用機械或化學的方式切割處切口，然后用磨削方法減薄到一定厚度之后采用ADPE腐蝕技術去除掉剩余加工量實現裸芯片的自動分離。

優選的，所述S6芯片貼裝共有四種方法，晶粘貼法，焊接粘貼法，導電膠粘貼法，和玻璃膠粘貼法。

優選的，所述S7 IC芯片背面通常先鍍上一層金的薄膜或在基板的芯片承載座上先植入預芯片。

優選的，所述S8芯片互連常見的方法有，打線鍵合，載在自動鍵合(TAB) 和倒裝芯片鍵合。

優選的，所述S9蒸發/濺射涂點制作法，電鍍凸點制作法置球及模板印刷制作，焊料凸點發，化學鍍涂點制作法，打球凸點制作法，激光法。

優選的，所述S101轉移成型技術，2噴射成型技術，3預成型技術但最主要的技術是轉移成型技術，轉移技術使用的材料一般為熱固性聚合物。

優選的，所述S11波峰焊的工藝流程包括.上助焊劑、預熱以及將PCB板在一個焊料波峰.上通過，依靠表面張力和毛細管現象的共同作用將焊劑帶到PCB板和元器件引腳上，形成焊接點。