[發明專利]一種基于熔化焊接的封裝工藝

在審

• 申請號: 202010139920.7
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN113363165A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 黃偉瑜
• 申請（專利權）人: 銀特（上海）半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：包括以下工藝；

S1：前段操作和后段操作；

S2：芯片封裝；

S3：硅片的背面減薄；

S4：先劃片后減??；

S5：減薄劃片；

S6：芯片貼裝；

S7：共晶貼裝所采取的方法；

S8：芯片互連；

S9：凸點芯片的制作工藝；

S10：塑料封裝的成型技術；

S11：波峰焊；

S12：打線鍵合；

S13：芯片互連。

2.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S1用塑料封裝之前的工藝步驟成為前段操作，在成型之后的工藝步驟成為后段操作。

3.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S2硅片減薄硅片切割芯片貼裝，芯片互聯成型技術去飛邊毛刺切筋成型上焊錫打碼等工序。

4.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S3磨削，研磨，化學機械拋光，干式拋光，電化學腐蝕，濕法腐蝕，等離子增強化學腐蝕，常壓等離子腐蝕等。

5.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S4在背面磨削之前將硅片正面切割出一定深度的切口，然后再進行背面磨削。

6.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S5在減薄之前，先用機械或化學的方式切割處切口，然后用磨削方法減薄到一定厚度之后采用ADPE腐蝕技術去除掉剩余加工量實現裸芯片的自動分離。

7.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S6芯片貼裝共有四種方法，晶粘貼法，焊接粘貼法，導電膠粘貼法，和玻璃膠粘貼法。

8.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S7 IC芯片背面通常先鍍上一層金的薄膜或在基板的芯片承載座上先植入預芯片。

9.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S8芯片互連常見的方法有，打線鍵合，載在自動鍵合(TAB) 和倒裝芯片鍵合。

10.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S9蒸發/濺射涂點制作法，電鍍凸點制作法置球及模板印刷制作，焊料凸點發，化學鍍涂點制作法，打球凸點制作法，激光法。

11.根據權利要求1所述的一種基于熔融焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S101轉移成型技術，2噴射成型技術，3預成型技術但最主要的技術是轉移成型技術，轉移技術使用的材料一般為熱固性聚合物。

12.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S11波峰焊的工藝流程包括.上助焊劑、預熱以及將PCB板在一個焊料波峰.上通過，依靠表面張力和毛細管現象的共同作用將焊劑帶到PCB板和元器件引腳上，形成焊接點。

13.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S12將細金屬線或金屬帶按順序打在芯片與引腳架或封裝基板的焊墊上形成電路互連，打線鍵合技術有超聲波鍵合、熱壓鍵合、熱超聲波鍵合。

14.根據權利要求1所述的一種基于熔化焊接的封裝工藝，其特征在于：所述S13將芯片焊區與電子封裝外殼的I/O或基板.上的金屬布線焊區相連接，只有實現芯片與封裝結構的電路連接才能發揮已有的功能。