[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010139380.2 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN111668259A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 樸晙皙;金兌相;文然建;樸根徹;林俊亨;全景辰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉美華;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
根據發明的一個方面,提供了一種顯示裝置。所述顯示裝置包括:多個像素,分別結合到掃描線和與掃描線相交的數據線,其中,多個像素中的至少一些像素包括驅動晶體管和開關晶體管,驅動晶體管包括:基底;第一絕緣層,設置在基底上;第一有源層,設置在第一絕緣層上;第一柵電極,設置在第一有源層上;以及第一源電極和第一漏電極,電連接到第一有源層,第一漏電極與第一源電極間隔開第一距離,并且開關晶體管包括:第二柵電極,設置在基底與第一絕緣層之間;第二有源層,與第一有源層設置在同一層上;以及第二源電極和第二漏電極,電連接到第二有源層,第二漏電極與第二源電極間隔開與第一距離不同的第二距離。
本申請要求于2019年3月5日提交的第10-2019-0025157號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請出于所有目的通過引用包含于此,如同在此充分闡述的一樣。
技術領域
發明的示例性實施方式總體上涉及一種顯示裝置,更具體地,涉及一種包括具有窄寬度的像素晶體管和/或掃描驅動器的顯示裝置以及一種制造該顯示裝置的方法。
背景技術
隨著信息社會發展,對用于顯示圖像的顯示裝置的需求以各種形式日益增加。因此,正在利用諸如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)和發光顯示器的各種顯示裝置。發光顯示器包括使用有機發光二極管作為發光元件的有機發光顯示器和使用微發光二極管作為發光元件的微發光二極管顯示器。
這種平板顯示裝置包括顯示面板、柵極驅動器電路、數據驅動器電路和時序控制器。顯示面板包括數據線、柵極線以及形成在數據線和柵極線的交叉點處的像素。通過使用作為開關元件的薄膜晶體管,像素中的每個在柵極信號被供應到柵極線時從數據線接收數據電壓。像素中的每個根據數據電壓發射預定亮度的光。
近來,已經發布了能夠以超高清(UHD)的高分辨率顯示圖像的平板顯示裝置,并且正在開發能夠以8K UHD的高分辨率顯示圖像的平板顯示裝置。UHD表示3840×2160的分辨率,8K UHD表示7680×4320的分辨率。
在本背景技術部分中公開的以上信息僅用于對發明構思的背景技術的理解,因此,它可以包含不構成現有技術的信息。
發明內容
申請人發現,在如上面討論的高分辨率平板顯示裝置的情況下,隨著像素數量的增加,用于每個像素中的掃描驅動器電路和薄膜晶體管的區域可能太大而不能容納在顯示裝置中。
根據發明的原理和示例性實施方式構造的顯示裝置以及根據發明的原理制造該顯示裝置的方法能夠減小每個像素中的掃描驅動器電路中的至少一個晶體管的寬度和開關晶體管的寬度,而不使制造復雜化,例如,在顯示裝置的制造工藝中不增加通常使用的掩模的數量。例如,根據發明的顯示裝置的一些實施方式,可以通過保持掩模的數量來確保工藝經濟性,通過減小掃描驅動器電路的總寬度來實現窄邊框,并且通過減小每個像素中的開關晶體管的區域來實現高分辨率顯示裝置。
發明構思的附加特征將在以下的描述中闡述,并且部分地通過該描述將是明顯的,或者可以通過發明構思的實踐而獲知。
根據發明的一個方面,一種顯示裝置包括分別結合到掃描線和與掃描線相交的數據線的多個像素,其中,多個像素中的至少一些像素包括驅動晶體管和開關晶體管,驅動晶體管包括:基底;第一絕緣層,設置在基底上;第一有源層,設置在第一絕緣層上;第一柵電極,設置在第一有源層上;以及第一源電極和第一漏電極,電連接到第一有源層,第一漏電極與第一源電極間隔開第一距離,并且開關晶體管包括:第二柵電極,設置在基底與第一絕緣層之間;第二有源層,與第一有源層設置在同一層上;以及第二源電極和第二漏電極,電連接到第二有源層,第二漏電極與第二源電極間隔開與第一距離不同的第二距離。
第一有源層和第二有源層可以包括氧化銦鎵鋅或氧化銦錫鋅。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010139380.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體激光裝置以及分析裝置
- 下一篇:圖像形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





