[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010139380.2 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN111668259A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 樸晙皙;金兌相;文然建;樸根徹;林俊亨;全景辰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉美華;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
多個像素,分別結合到掃描線和與所述掃描線相交的數據線,
其中,所述多個像素中的至少一些像素包括驅動晶體管和開關晶體管,
所述驅動晶體管包括:基底;第一絕緣層,設置在所述基底上;第一有源層,設置在所述第一絕緣層上;第一柵電極,設置在所述第一有源層上;以及第一源電極和第一漏電極,電連接到所述第一有源層,所述第一漏電極與所述第一源電極間隔開第一距離,并且
所述開關晶體管包括:第二柵電極,設置在所述基底與所述第一絕緣層之間;第二有源層,與所述第一有源層設置在同一層上;以及第二源電極和第二漏電極,電連接到所述第二有源層,所述第二漏電極與所述第二源電極間隔開與所述第一距離不同的第二距離。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一有源層和所述第二有源層包括氧化銦鎵鋅或氧化銦錫鋅。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一有源層的在第一方向上的長度比所述第二有源層的在所述第一方向上的長度大。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一有源層和所述第二有源層直接與所述第一絕緣層接觸。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述驅動晶體管包括頂柵結構,所述頂柵結構具有設置在所述基底與所述第一絕緣層之間的第一金屬層,并且所述第一金屬層和所述第二柵電極包括相同的材料。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述驅動晶體管還包括設置在所述第一柵電極上的第二絕緣層,并且
其中,所述第一源電極通過穿過所述第二絕緣層的第一接觸孔連接到所述第一有源層的第一源區,并且所述第一漏電極通過穿過所述第二絕緣層的第二接觸孔連接到所述第一有源層的第一漏區。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第一源電極通過穿過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第五接觸孔來與所述第一金屬層接觸。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,所述驅動晶體管還包括設置在所述第一柵電極與所述第一有源層之間的第一柵極絕緣層,并且所述第一柵電極通過穿過所述第一絕緣層和所述第一柵極絕緣層的第六接觸孔來與所述第一金屬層接觸。
9.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第二絕緣層不與所述開關晶體管的所述第二有源層疊置。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述開關晶體管包括底柵結構,在所述底柵結構中所述第二源電極與所述第二有源層的第二源區接觸并且所述第二漏電極與所述第二有源層的第二漏區接觸,并且
其中,所述第一源電極與所述第一漏電極之間的在第一方向上的所述第一距離比所述第二源電極與所述第二漏電極之間的在所述第一方向上的所述第二距離大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





