[發明專利]測試結構及測試方法在審
| 申請號： | 202010139031.0 | 申請日： | 2020-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN112687561A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 呂學翰;饒瑞修 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測試 結構 方法 | ||
1.一種測試結構，其特征在于，包含：
第一層，包含第一圖案；
第二層；以及
第三層，包含第二圖案；
其中所述第一層，所述第二層以及所述第三層彼此重疊，
其中所述第二層連接于基于電荷的電容(CBCM)測試電路。
2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一圖案為梳狀構造。
3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第二圖案為蛇狀構造。
4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第二層設置于所述第一層之上，且所述第三層設置于所述第二層之上。
5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第二層的寄生電容由所述CBCM測試電路進行測試，且所述第一層的至少一個電路特征以及所述第三層的至少一個電路特征由另一測試電路進行測試。
6.一種測試方法，適用于測試結構，其特征在于，所述測試結構包含第一層、第二層以及第三層，其中所述測試方法包含：
由CBCM測試電路測試所述第二層；以及
由另一測試電路測試所述第一層以及所述第三層；
其中所述第一層包含第一圖案且所述第三層包含第二圖案，其中所述第一層、所述第二層以及所述第三層彼此重疊。
7.如權利要求6所述的測試方法，其特征在于，所述第一圖案為梳狀構造。
8.如權利要求6所述的測試方法，其特征在于，所述第二圖案為蛇狀構造。
9.如權利要求6所述的測試方法，其特征在于，所述第二層設置于所述第一層之上，且所述第三層是設置于所述第二層之上。
10.如權利要求6所述的測試方法，其特征在于，所述第二層的寄生電容由所述CBCM測試電路進行測試，且所述第一層的至少一個電路特征以及所述第三層的至少一個電路特征是由另一測試電路進行測試。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
