[發明專利]測試結構及測試方法在審
| 申請號: | 202010139031.0 | 申請日: | 2020-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN112687561A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 呂學翰;饒瑞修 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇;董云海 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 結構 方法 | ||
本發明公開了一種測試結構及測試方法,測試結構包含第一層、第二層以及第三層。第一層包含第一圖案。第三層包含第二圖案。第一層,第二層以及第三層彼此重疊。第二層連接于基于電荷的電容(CBCM)測試電路。本發明的測試結構不僅能夠檢測各種結構的電阻和泄漏,還能夠檢測其他互連層的電阻和泄漏。
技術領域
本發明是有關于一種測試結構及測試方法,且特別是有關于檢測堆疊結構的多個層的測試結構及測試方法。
背景技術
隨著晶體管尺寸的不斷縮小,互連延遲決定了電路的性能。此外,當互連變得更多層、更復雜、更近時,兩條導線之間的交叉耦合效應就成為噪音源,可能導致芯片故障。因此,如何取得精確的互連參數以進行電路模擬或電路故障分析是十分重要的。
許多測試結構被提出以測量互連耦合電容。其中一種方法是基于電荷的電容(CBCM)測試電路,負載電容的值是通過提供給逆變器的平均電流和給定的時鐘頻率以取得。
然而,CBCM測試結構只能測量各種互連的寄生電容,這導致測試元件組(TEG)的設計需要龐大的互連結構來計算電容。
發明內容
本發明的目的在于提供一種測試結構,其不僅能夠檢測各種結構的電阻和泄漏,還能夠檢測其他互連層的電阻和泄漏。
本發明的一方面是在提供一種測試結構,包含第一層、第二層以及第三層。第一層包含第一圖案。第三層包含第二圖案。第一層,第二層,以及第三層彼此重疊。第二層連接于基于電荷的電容(CBCM)測試電路。
在部分實施例中,第一圖案為梳狀構造。
在部分實施例中,第二圖案為蛇狀構造。
在部分實施例中,第二層設置于第一層之上,且第三層設置于第二層之上。
在部分實施例中,第二層的寄生電容由CBCM測試電路進行測試,且第一層的至少一個電路特征以及第三層的至少一個電路特征由另一測試電路進行測試。
本發明的另一方面是在提供一種測試方法,適用于測試結構。測試結構包含第一層、第二層以及第三層,其中測試方法包含:由CBCM測試電路測試第二層;以及由另一測試電路測試第一層以及第三層。第一層包含第一圖案且第三層包含第二圖案。第一層、第二層以及第三層彼此重疊。
在部分實施例中,第一圖案為梳狀構造。
在部分實施例中,第二圖案為蛇狀構造。
在部分實施例中,第二層設置于第一層之上,且第三層設置于第二層之上。
在部分實施例中,第二層的寄生電容由CBCM測試電路進行測試,且第一層的至少一個電路特征以及第三層的至少一個電路特征由另一測試電路進行測試。
因此,與現有技術相比,本發明的實施例通過提供一種測試結構及測試方法,不僅能夠檢測各種結構的電阻和泄漏,還能夠檢測其他互連層的電阻和泄漏。此外,用于測試的測試元件組(TEG)的體積也較小。
附圖說明
為讓本發明之上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,結合附圖說明如下:
圖1為根據本發明一些實施例所繪示的測試結構的示意圖;
圖2為根據本發明一些實施例所繪示的層的示意圖;
圖3為根據本發明一些實施例所繪示的層的示意圖;
圖4為根據本發明一些實施例所繪示的CBCM測試電路的示意圖;以及
圖5為根據本發明一些實施例所繪示的測試方法的流程圖。
主要附圖標記說明:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





