[發(fā)明專利]基板處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法、記錄介質(zhì)及程序在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010137523.6 | 申請日： | 2020-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN112563107A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 中川崇;廣瀨義朗;大橋直史;高崎唯史 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社國際電氣 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 陳偉;孫明軒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 裝置 半導(dǎo)體器件 制造 方法 記錄 介質(zhì) 程序 | ||
本發(fā)明對于在使基板公轉(zhuǎn)的同時(shí)對其處理的裝置提供能夠均勻處理基板面內(nèi)的基板處理裝置，其具有：基板載置盤，其能夠以圓周狀配置多個(gè)基板；旋轉(zhuǎn)部，其使基板載置盤旋轉(zhuǎn)；氣體供給構(gòu)造，其處于基板載置盤的上方，且配置于從基板載置盤的中心到外周的范圍；氣體供給部，其包含氣體供給構(gòu)造，并控制從氣體供給構(gòu)造供給的氣體供給量；氣體排出構(gòu)造，其處于基板載置盤的上方，且設(shè)于氣體供給構(gòu)造的旋轉(zhuǎn)方向下游；氣體排出部，其包含氣體排出構(gòu)造，并控制從氣體排出構(gòu)造排出的氣體排出量；和氣體主成分量控制部，其具備氣體供給部和氣體排出部，并控制針對基板的氣體主成分量，氣體主成分量控制部能夠調(diào)節(jié)從中心到外周向基板供給的氣體的主成分的量。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法、記錄介質(zhì)及程序。
背景技術(shù)
以使生產(chǎn)量和處理質(zhì)量同時(shí)提高為目的，具有一種在使基板公轉(zhuǎn)的同時(shí)供給氣體來進(jìn)行所希望的基板處理的裝置。作為這種裝置，例如具有專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)。
在處理基板時(shí)，優(yōu)選均勻處理基板面內(nèi)。然而，在使基板公轉(zhuǎn)的裝置的情況下，由于裝置形式的制約，有時(shí)在裝置的中心側(cè)和外周側(cè)對基板的氣體供給的狀況不同。在該情況下，難以均勻處理基板面內(nèi)，因此會(huì)導(dǎo)致成品率下降。
專利文獻(xiàn)1：日本特開2016-42561
發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的為，對于在使基板公轉(zhuǎn)的同時(shí)對其處理的裝置，提供一種能夠均勻處理基板面內(nèi)的技術(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案而提供一種構(gòu)成，具有：基板載置盤，其能夠以圓周狀配置多個(gè)基板；旋轉(zhuǎn)部，其使所述基板載置盤旋轉(zhuǎn)；氣體供給構(gòu)造，其處于所述基板載置盤的上方，且配置于從所述基板載置盤的中心到外周的范圍；氣體供給部，其包含所述氣體供給構(gòu)造，并控制從所述氣體供給構(gòu)造供給的氣體供給量；氣體排出構(gòu)造，其處于所述基板載置盤的上方，且設(shè)于所述氣體供給構(gòu)造的旋轉(zhuǎn)方向下游；氣體排出部，其包含所述氣體排出構(gòu)造，并控制從所述氣體排出構(gòu)造排出的氣體排出量；和氣體主成分量控制部，其具備所述氣體供給部和所述氣體排出部，并控制針對所述基板的氣體主成分量，所述氣體主成分量控制部能夠調(diào)節(jié)從所述中心到所述外周向所述基板供給的氣體的主成分的量。
發(fā)明效果
根據(jù)上述技術(shù)，能夠?qū)τ谠谑够骞D(zhuǎn)的同時(shí)對其處理的裝置提供一種能夠均勻處理基板面內(nèi)的技術(shù)。
附圖說明
圖1是說明第1實(shí)施方式的基板處理裝置的說明圖。
圖2是說明第1實(shí)施方式的基板處理裝置的說明圖。
圖3是說明第1實(shí)施方式的氣體供給部的說明圖。
圖4是說明第1實(shí)施方式的氣體供給構(gòu)造和氣體排出構(gòu)造的說明圖。
圖5是說明第1實(shí)施方式的氣體供給構(gòu)造和氣體排出構(gòu)造的說明圖。
圖6是說明第1實(shí)施方式的基板處理裝置的控制器的說明圖。
圖7是說明第1實(shí)施方式的基板處理流程的說明圖。
圖8是說明第1實(shí)施方式的基板處理流程的說明圖。
圖9是說明在第1實(shí)施方式中處理的基板的狀態(tài)的說明圖。
圖10是說明第2實(shí)施方式的基板處理裝置的說明圖。
圖11是說明第2實(shí)施方式的氣體供給構(gòu)造的說明圖。
圖12是說明第2實(shí)施方式的氣體排出構(gòu)造的說明圖。
圖13是說明第2實(shí)施方式的氣體供給構(gòu)造和氣體排出構(gòu)造的說明圖。
圖14是說明第3實(shí)施方式的氣體供給構(gòu)造的說明圖。
圖15是說明第3實(shí)施方式的氣體供給構(gòu)造的說明圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社國際電氣，未經(jīng)株式會(huì)社國際電氣許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010137523.6/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
