[發(fā)明專利]基板處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法、記錄介質(zhì)及程序在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010137523.6 | 申請日： | 2020-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN112563107A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中川崇;廣瀨義朗;大橋直史;高崎唯史 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 陳偉;孫明軒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 處理 裝置 半導(dǎo)體器件 制造 方法 記錄 介質(zhì) 程序 | ||
1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：
基板載置盤，其能夠以圓周狀配置多個基板；
旋轉(zhuǎn)部，其使所述基板載置盤旋轉(zhuǎn)；
氣體供給構(gòu)造，其處于所述基板載置盤的上方，且配置于從所述基板載置盤的中心到外周的范圍；
氣體供給部，其包含所述氣體供給構(gòu)造，并控制從所述氣體供給構(gòu)造供給的氣體供給量；
氣體排出構(gòu)造，其處于所述基板載置盤的上方，且設(shè)于所述氣體供給構(gòu)造的旋轉(zhuǎn)方向下游；
氣體排出部，其包含所述氣體排出構(gòu)造，并控制從所述氣體排出構(gòu)造排出的氣體排出量；和
氣體主成分量控制部，其具備所述氣體供給部和所述氣體排出部，并控制針對所述基板的氣體主成分量，
所述氣體主成分量控制部能夠調(diào)節(jié)從所述中心到所述外周向所述基板供給的氣體的主成分的量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述基板處于形成有在面內(nèi)構(gòu)成多個槽的支柱的狀態(tài)的情況下，所述氣體主成分量控制部使向所述基板中的、所述基板的中央?yún)^(qū)域供給的氣體的暴露量大于向所述基板的側(cè)方區(qū)域供給的氣體的暴露量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述氣體供給部從所述基板載置盤的中心部到外周部以固定的供給量供給氣體，
在所述基板的中央?yún)^(qū)域通過的部位，將所述氣體供給構(gòu)造與所述氣體排出構(gòu)造之間設(shè)為第1距離，
在所述基板的側(cè)方區(qū)域通過的部位，將所述氣體供給構(gòu)造與所述氣體排出構(gòu)造之間設(shè)為比所述第1距離短的第2距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，所述氣體主成分量控制部使氣體的供給量從所述基板載置盤的中心到外周增多。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述氣體供給構(gòu)造中，從所述基板載置盤的中心到外周設(shè)有氣體供給孔，所述氣體供給孔相對于所述基板的表面傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述氣體供給部從所述基板載置盤的中心部到外周部以固定的供給量供給氣體，
在所述基板的中央?yún)^(qū)域通過的部位，將所述氣體供給構(gòu)造與所述氣體排出構(gòu)造之間設(shè)為第1距離，
在所述基板的側(cè)方區(qū)域通過的部位，將所述氣體供給構(gòu)造與所述氣體排出構(gòu)造之間設(shè)為比所述第1距離短的第2距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，所述第1距離及所述第2距離根據(jù)形成于所述中央?yún)^(qū)域及所述側(cè)方區(qū)域內(nèi)的槽的表面積來設(shè)定。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，所述氣體主成分量控制部使氣體的供給量從所述基板載置盤的中心到外周增多。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述氣體供給構(gòu)造中，從所述基板載置盤的中心到外周設(shè)有氣體供給孔，所述氣體供給孔相對于所述基板的表面傾斜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述氣體主成分量控制部使氣體的供給量從所述基板載置盤的中心到外周增多。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，在所述氣體供給構(gòu)造中，從所述基板載置盤的中心到外周設(shè)有氣體供給孔，所述氣體供給孔相對于所述基板的表面傾斜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)有多個所述氣體供給孔，所述傾斜從所述基板載置盤的中心到外周逐漸趨向所述基板的表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，設(shè)有多個所述氣體供給孔，各所述氣體供給孔從所述基板載置盤的中心到外周逐漸接近基板表面。
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