[發明專利]一種顯示裝置

有效

• 申請號: 202010136514.5
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN113363395B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: 唐兆兵;李富琳;穆琳佳
• 申請（專利權）人: 海信視像科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 馮艷蓮

本發明公開了一種顯示裝置，包括：襯底基板，具有承載作用；量子點發光二極管器件，位于襯底基板之上；量子點發光二極管器件包括：底電極，位于襯底基板之上；頂電極，位于底電極背離襯底基板的一側；量子點層，位于底電極和頂電極之間；空穴注入層，位于底電極與量子點層之間；界面層，位于底電極與空穴注入層之間；界面層用于保護底電極不被腐蝕。在底電極與空穴注入層之間設置一層界面層，不僅可以阻擋底電極中的金屬離子進入到QLED器件的有機功能層中，防止器件的減退；還可以保護底電極不被制備空穴注入層時的溶液所腐蝕，保證QLED器件的穩定性和使用壽命。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示裝置。

背景技術

量子點發光材料具有發光光譜可調節、發光色純度高、光化學穩定性及熱穩定性好等特點，目前已經被廣泛應用在新型顯示領域。而以量子點材料為發光材料的量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，簡稱QLED)，相比于有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode，簡稱OLED)具有更寬的色域、更高的顯色指數、更好的溶液加工性能等特性，因此在顯示領域的應用前景十分巨大。

目前，QLED的外量子效率已經接近當前性能最好的OLED。QLED中與陽極相接觸的功能膜層通常采用有機材料，而有機材料在制作時多為酸性溶液，因此很容易將陽極腐蝕，影響陽極的穩定性。

發明內容

本發明提供了一種顯示裝置，用以保護QLED器件的底電極不被溶液腐蝕。

本發明提供一種顯示裝置，包括：

襯底基板，具有承載作用；

量子點發光二極管器件，位于所述襯底基板之上；

所述量子點發光二極管器件包括：

底電極，位于所述襯底基板之上；

頂電極，位于所述底電極背離所述襯底基板的一側；

量子點層，位于所述底電極和所述頂電極之間；

空穴注入層，位于所述底電極與所述量子點層之間；

界面層，位于所述底電極與所述空穴注入層之間；所述界面層用于保護所述底電極不被腐蝕。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述底電極的材料采用透明導電氧化物。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述透明導電氧化物包括氧化銦錫、氧化銦鋅或摻鋁氧化鋅中的一種。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述界面層的材料采用金屬氧化物半導體。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述金屬氧化物半導體包括氧化錫、氧化鎢或氧化鎳中的一種。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述界面層的厚度小于或等于10nm。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述空穴注入層的材料采用聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述量子點發光二極管器件還包括：

空穴傳輸層，位于所述空穴注入層與所述量子點層之間；

電子傳輸層，位于所述量子點層與所述頂電極之間。

在本申請的一些實施例中，在本發明提供的上述顯示裝置中，所述界面層采用磁控濺射的方法制作而成。