[發明專利]一種顯示裝置有效
| 申請號: | 202010136514.5 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN113363395B | 公開(公告)日: | 2022-11-18 |
| 發明(設計)人: | 唐兆兵;李富琳;穆琳佳 | 申請(專利權)人: | 海信視像科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 馮艷蓮 |
| 地址: | 266555 山東省青*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
襯底基板,具有承載作用;
量子點發光二極管器件,位于所述襯底基板之上;
所述量子點發光二極管器件包括:
底電極,位于所述襯底基板之上;
頂電極,位于所述底電極背離所述襯底基板的一側;
量子點層,位于所述底電極和所述頂電極之間;
空穴注入層,位于所述底電極與所述量子點層之間;
界面層,位于所述底電極與所述空穴注入層之間;所述界面層用于保護所述底電極不被腐蝕。
2.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述底電極的材料采用透明導電氧化物。
3.如權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,所述透明導電氧化物包括氧化銦錫、氧化銦鋅或摻鋁氧化鋅中的一種。
4.如權利要求3所述的顯示裝置,其特征在于,所述界面層的材料采用金屬氧化物半導體。
5.如權利要求4所述的顯示裝置,其特征在于,所述金屬氧化物半導體包括氧化錫、氧化鎢或氧化鎳中的一種。
6.如權利要求4所述的顯示裝置,其特征在于,所述界面層的厚度小于或等于10nm。
7.如權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述空穴注入層的材料采用聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)。
8.如權利要求1-7任一項所述的顯示裝置,其特征在于,所述量子點發光二極管器件還包括:
空穴傳輸層,位于所述空穴注入層與所述量子點層之間;
電子傳輸層,位于所述量子點層與所述頂電極之間。
9.如權利要求1-7任一項所述的顯示裝置,其特征在于,所述界面層采用磁控濺射的方法制作而成。
10.如權利要求8所述的顯示裝置,其特征在于,所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述量子點層以及所述電子傳輸層采用溶液法制作而成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





