[發明專利]一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法

在審

• 申請號: 202010136322.4
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111280056A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 陳澤雄;唐寧;婁娟;許鋒;劉霞;劉華敏
• 申請（專利權）人: 重慶文理學院;長江大學
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 武君

1.一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、初代培養：將無刺花椒萌芽莖段置于培養基中，并在黑暗環境中培養5～9天，再置于光照強度為900～1100lux條件下培養6～8天，然后將光照強度增加至1900～2100lux培養12～16天，直至無刺花椒萌芽莖段生長至高度3～4cm，3～4個節間，且腋芽萌發數量不少于2個；

S2、切割：將經過初代培養的無刺花椒萌芽莖段置于超凈工作臺上的無菌接種盤中，用滅菌的工具將無刺花椒萌芽莖段的基部即浸入培養基的一端的組織切除，露出新鮮組織，然后切成1～3片葉莖段；

S3、第二代培養：將S2中切割好的莖段置于培養基中，并在黑暗環境中培養5～9天后，及時置于光照強度為900～1100lux條件下培養6～8天，然后將光照強度增加至1900～2100lux培養12～16天，直至莖段生長至高度3～4cm，3～4個節間，且腋芽萌發數量不少于2個；

所述初代培養和第二代培養過程中的培養基成分組成為：MS基礎培養基、玉米素(ZT)為2.0mg·L-¹、萘乙酸(NAA)為0.1mg·L^-1、卡拉膠為6.0g·L^-1、蔗糖為30g·L^-1和植物組培抗菌劑為(PPM)0.1％；

S4、重復S2和S3步驟進行繼代增殖培養，直至培養基中PPM用量為0時結束，且繼代增殖培養代數不少于4代；

所述繼代增殖培養的培養基成分組成為：MS基礎培養基、ZT為1.0～2.0mg·L-¹、NAA為0.1mg·L^-1、卡拉膠為6.0g·L^-1、蔗糖30g·L^-1和PPM為0～0.05％；

所述繼代增殖培養代數每增加1～2次，PPM用量降低0.01％。

2.根據權利要求1所述一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，所述S4中，第三代培養和第四代培養的培養基成分中ZT用量均為2.0mg·L^-1。

3.根據權利要求1所述一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，所述S4中，繼代增殖培養代數超過4代后，培養基成分中ZT用量需根據增殖的腋芽莖段節間長度和腋芽數量進行調整，當腋芽莖段密集且腋芽叢生時，ZT用量為1.0～1.25mg·L^-1，當腋芽莖段節間長且腋芽萌發較少時，ZT用量為1.25～1.5mg·L^-1。

4.根據權利要求1所述一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，所述S4中，繼代增殖培養過程中，PPM用量隨著繼代次數的增加每次減少0.01％。

5.根據權利要求1所述一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，所述S2中，無刺花椒苗在切割過程中，頂芽切成1～2cm長，帶2～4片葉的莖段。

6.根據權利要求1所述一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，所述S2中，無刺花椒苗在切割過程中，除靠近培養基水漬狀、黃花的老葉片需切除外，其余所有葉片均需保留。

7.根據權利要求1所述一種無刺花椒組培苗的繼代繁育方法，其特征在于，在整個繼代增殖培養期間，每天的光照培養時間為10h，溫度為23～27℃。