[發(fā)明專利]集成電路裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010135776.X
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111952305A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 安在昊;梁宇成;任峻成;黃盛珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11563
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

提供了一種集成電路裝置及其制造方法。該集成電路裝置包括：下存儲器堆疊件，其包括位于襯底上的多條下字線；上存儲器堆疊件，其位于下存儲器堆疊件上并且包括多條上字線；至少一個第一下互連層，其在下存儲器堆疊件與上存儲器堆疊件之間在第一豎直高度在水平方向上延伸，并且被構造為電連接至從所述多條下字線中選擇的至少一條下字線；分離的絕緣膜，其覆蓋至少一個第一下互連層；以及至少一個第一上互連層，其在高于上存儲器堆疊件的第二豎直高度在水平方向上延伸，并且被構造為電連接至從上字線中選擇的至少一條上字線。

優(yōu)先權申請的引用

本申請要求于2019年5月17日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0058311的權益，該申請的公開以引用方式全文并入本文。

技術領域

本發(fā)明構思涉及一種集成電路裝置和/或其制造方法，并且更具體地說，涉及一種包括非易失性豎直存儲器裝置的集成電路裝置和/或其制造方法。

背景技術

隨著信息通信設備變得更加多功能，存在對包括存儲器裝置的集成電路裝置的增強的容量和集成度的期望和/或需求。隨著存儲器單元的尺寸因更高的集成度而減小，包括在存儲器裝置中用于操作和存儲器裝置的電連接的操作電路和布線結構變得更復雜。因此，存在對包括在改善集成度的同時具有改善的電特性的存儲器裝置的集成電路裝置的期望和/或需求。

發(fā)明內容

本發(fā)明構思提供了一種集成電路裝置及其制造方法，其中在豎直存儲器裝置中，即使當堆疊的字線的數(shù)量增加以獲得更高的集成度，并且連接至字線的接觸件的數(shù)量以及互連部的數(shù)量增加時，存儲器裝置占據(jù)的面積也減小，因此芯片的面積也減小。這可能能夠實現(xiàn)更高等級的芯片制造和/或更高的良率。此外，互連部布置的自由度提高，即使當堆疊的字線的數(shù)量增大時，也可執(zhí)行簡化的工藝，而不用增加用于接觸形成的工藝難度。

根據(jù)本發(fā)明構思的一些示例實施例，提供了一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：襯底，其包括存儲器單元區(qū)和連接區(qū)；下存儲器堆疊件，其包括位于襯底的存儲器單元區(qū)和連接區(qū)上的多條下字線，所述多條下字線在與襯底的主表面平行的水平方向上延伸，所述多條下字線在豎直方向上彼此疊置；上存儲器堆疊件，其位于下存儲器堆疊件上，上存儲器堆疊件包括在豎直方向上彼此疊置的多條上字線；至少一個第一下互連層，其在連接區(qū)上在下存儲器堆疊件與上存儲器堆疊件之間位于第一豎直高度處，所述至少一個第一下互連層在水平方向上延伸，并且被構造為電連接至從所述多條下字線中選擇的至少一條下字線；分離的絕緣膜，其覆蓋所述至少一個第一下互連層，使得所述至少一個第一下互連層的上表面不接觸連接區(qū)上的其它導體；以及至少一個第一上互連層，其在連接區(qū)上位于高于上存儲器堆疊件的第二豎直高度處，所述至少一個第一上互連層在水平方向上延伸，所述至少一個第一上互連層被構造為電連接至從所述多條上字線中選擇的至少一條上字線。

根據(jù)本發(fā)明構思的一些示例實施例，提供了一種集成電路裝置，該集成電路裝置包括：襯底，其包括存儲器單元區(qū)和連接區(qū)；外圍電路區(qū)，其與存儲器單元區(qū)間隔開，并且包括多個電路；下存儲器堆疊件，其包括：(i)多條下字線，其位于存儲器單元區(qū)上并在與襯底的主表面平行的水平方向上延伸，所述多條下字線在豎直方向上彼此疊置，以及(ii)多個下焊盤區(qū)，其連接至所述多條下字線并且與連接區(qū)上的臺階狀下連接部分對應；上存儲器堆疊件，其位于存儲器單元區(qū)上的下存儲器堆疊件上方，并且包括：(i)多條上字線，其在水平方向上延伸并且在豎直方向上彼此疊置，以及(ii)多個上焊盤區(qū)，其連接至所述多條上字線并且對應與連接區(qū)上的臺階狀上連接部分；下絕緣膜，其位于連接區(qū)上，下絕緣膜覆蓋臺階狀下連接部分；多個下接觸插塞，其從所述多個下焊盤區(qū)經過下絕緣膜延伸至第一豎直高度處，第一豎直高度低于上存儲器堆疊件；以及多個第一下互連層，其位于下存儲器堆疊件與上存儲器堆疊件之間。從所述多個第一下互連層中選擇的至少一個第一下互連層包括：(i)第一局部部分，其連接至所述多個下接觸插塞中的至少一個；以及(ii)第二局部部分，其連接至所述多個電路中的至少一個。