[發明專利]集成電路裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010135776.X
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111952305A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 安在昊;梁宇成;任峻成;黃盛珉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11563
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種集成電路裝置，包括：

襯底，其包括存儲器單元區和連接區；

下存儲器堆疊件，其包括位于所述存儲器單元區和所述連接區上的多條下字線，所述多條下字線在與所述襯底的主表面平行的水平方向上延伸，所述多條下字線在豎直方向上彼此疊置；

上存儲器堆疊件，其位于所述下存儲器堆疊件上，所述上存儲器堆疊件包括在所述豎直方向上彼此疊置的多條上字線；

至少一個第一下互連層，所述至少一個第一下互連層在所述連接區上在所述下存儲器堆疊件與所述上存儲器堆疊件之間位于第一豎直高度處，所述至少一個第一下互連層在所述水平方向上延伸，并且被構造為電連接至從所述多條下字線中選擇的至少一條下字線；

分離的絕緣膜，其覆蓋所述至少一個第一下互連層，使得所述至少一個第一下互連層的上表面不接觸所述連接區上的其它導體；以及

至少一個第一上互連層，其在所述連接區上位于高于所述上存儲器堆疊件的第二豎直高度處，所述至少一個第一上互連層在所述水平方向上延伸，所述至少一個第一上互連層被構造為電連接至從所述多條上字線中選擇的至少一條上字線。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

所述分離的絕緣膜在局部區中在所述水平方向上連續地延伸，所述局部區包括與所述至少一個第一下互連層豎直地疊置的分離的絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的集成電路裝置，還包括：

至少一個第二上互連層，其在所述第二豎直高度處在所述連接區上沿所述水平方向延伸，所述至少一個第二上互連層被構造為連接至從所述多條下字線中選擇的至少一條下字線。

4.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

所述下存儲器堆疊件包括連接至所述多條下字線的臺階狀下連接部分，

所述上存儲器堆疊件包括連接至所述多條上字線的臺階狀上連接部分，并且

所述臺階狀上連接部分的至少一部分位于所述至少一個第一下互連層與所述至少一個第一上互連層之間。

5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

在所述水平方向上，被所述下存儲器堆疊件占據的第一區的第一面積大于被所述上存儲器堆疊件占據的第二區的第二面積。

6.根據權利要求5所述的集成電路裝置，其中，

所述上存儲器堆疊件與所述至少一個第一下互連層豎直地疊置。

7.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

在所述水平方向上，被所述下存儲器堆疊件占據的第一區的第一面積實質上小于或等于被所述上存儲器堆疊件占據的第二區的第二面積。

8.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

所述上存儲器堆疊件包括突出得比所述下存儲器堆疊件更遠離所述存儲器單元區的一部分，并且

所述上存儲器堆疊件包括與所述至少一個第一下互連層豎直地疊置的一部分。

9.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中，

所述襯底還包括外圍電路區，并且

所述至少一個第一下互連層包括：

第一局部部分，其通過所述連接區上的第一下接觸插塞連接至所述多條下字線中的至少一條下字線，以及

第二局部部分，其連接至形成在所述外圍電路區上的多個電路中的一個。

10.根據權利要求1所述的集成電路裝置，還包括：

外圍電路區，其包括外圍電路互連層，所述外圍電路區面對所述下存儲器堆疊件，并且所述襯底介于所述外圍電路區與所述下存儲器堆疊件之間；

貫穿接觸插塞，其在所述豎直方向上經過所述下存儲器堆疊件和所述襯底延伸至所述外圍電路互連層；以及

第二下互連層，其在所述第一豎直高度處在所述下存儲器堆疊件與所述上存儲器堆疊件之間在所述水平方向上延伸，所述第二下互連層接觸所述貫穿接觸插塞的上表面。