[發明專利]一種碳板結構、分析磁場以及離子注入設備

有效

• 申請號: 202010135765.1
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111341632B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 柴驊;黎韜;楊亞雄;余陳;姜東誠;譚超;劉晨亮;羅康
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01J37/02
• 分類號: H01J37/02;H01J37/14;H01J37/317
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李弘

本說明書一個或多個實施例提供一種碳板結構、分析磁場以及離子注入設備。所述碳板結構應用于離子注入設備的分析磁場中，包括：碳板主體，被配置為弧形結構，用于設置在所述分析磁場底部；以及，至少一個碳制擋板，沿與離子束注入方向垂直的方向設置于所述碳板主體上，且面向離子束注入方向的一側與所述碳板主體之間設置有預設角度。本發明所述碳板結構、分析磁場以及離子注入設備能夠解決剝落物受離子束撞擊而引出至玻璃基板表面導致的點不良的問題。

技術領域

本說明書一個或多個實施例涉及顯示制造技術領域，尤其涉及一種碳板結構、分析磁場以及離子注入設備。

背景技術

如今，半導體器件已深入到現代生活的方方面面。而諸如計算機、移動電話之類的大多數電子產品的核心部件、如處理器、存儲器等都含有半導體器件。半導體器件已在現代信息化設備中扮演至關重要的角色。

半導體制造的一個重要工藝是離子注入。離子注入是指，將來自離子源的離子束進行加速和偏轉后入射到目標材料中去，離子束最后停留在目標材料中，從而對目標材料的化學或物理性質進行調整。在半導體制造中，通常例如采用離子注入對目標材料進行摻雜、如n型或p型摻雜。

在現有的離子注入機中，工藝氣體及設備本身產生的剝落物(副產物)容易沉積在分析磁場底部，并被離子束撞擊而引出至玻璃基板表面，附著在玻璃基板表面的剝落物會遮擋這一區域，影響離子注入的穩定性和均一性，從而導致一些點不良的產生。尤其是在有機電致發光顯示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)中尤為明顯，這已經成為了注入性能的主要制約。

發明內容

有鑒于此，本說明書一個或多個實施例的目的在于提出一種碳板結構、分析磁場以及離子注入設備，以解決剝落物受離子束(Beam)撞擊而引出至玻璃基板（Glass）表面導致的點不良的問題。

基于上述目的，本說明書一個或多個實施例提供了一種碳板結構，應用于離子注入設備的分析磁場中，包括：

碳板主體，被配置為弧形結構，用于設置在所述分析磁場底部；

至少一個碳制擋板，沿與離子束注入方向垂直的方向設置于所述碳板主體上，且面向離子束注入方向的一側與所述碳板主體之間設置有預設角度。

可選的，所述碳板主體設置有擋板安裝底座。

可選的，與所述擋板安裝底座連接的一側設置有與所述擋板安裝底座配合的安裝槽口。

可選的，所述碳制擋板以及所述擋板安裝底座上均設置有與所述螺絲配合的螺絲孔，所述碳制擋板通過螺絲固定在所述擋板安裝底座上。

可選的，所述碳制擋板面向離子束注入方向的一側設置用于遮擋所述螺絲的碳帽。

可選的，所述螺絲的材質包括鉬。

可選的，所述預設角度的范圍包括：大于0°并小于90°。

可選的，所述預設角度的范圍包括30°~60°。

本說明書一個或多個實施例還提供了一種分析磁場，應用于離子注入設備，包括如上述任一項實施例所述的碳板結構，且所述碳板結構設置于所述分析磁場的底部。

本說明書一個或多個實施例還提供了一種離子注入設備，包括如上述實施例所述的分析磁場。

從上面所述可以看出，本說明書一個或多個實施例提供的碳板結構、分析磁場以及離子注入設備，通過在分析磁場底部的碳板主體上設置與碳板主體具有預設角度的碳制擋板，這樣沉積在分析磁場底部的懸浮剝落物在受到離子束轟擊時也會被碳制擋板擋住，而不會被離子束引出至玻璃基板表面，從而可以有效抑制沉積在分析磁場底部的懸浮剝落物受離子束撞擊而引出至玻璃基板表面導致的注入均一性受到的影響，從而提升工藝的均一性和穩定性，降低不良發生率；并延長分析磁場的使用壽命，降低成本。