[發明專利]陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202010135098.7
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111180471A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 陽志林;趙輝;馬國永;喻玥;薛小剛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種陣列基板，包括位于像素區域的金屬遮光層；覆蓋金屬遮光層的絕緣過渡層；位于所述絕緣過渡層上的源漏極和數據線，其中所述源漏極位于像素區域，所述數據線位于端子區；位于源漏極上的金屬氧化物溝道半導體層和金屬氧化物像素電極半導體層；柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋金屬氧化物溝道半導體層、金屬氧化物像素電極半導體層和源漏極；位于柵極絕緣層上的柵極和柵極線，柵極位于像素區域，柵極線位于端子區；覆蓋在柵極上和金屬氧化物像素電極半導體層上的絕緣保護層，以及位于端子區的過孔；第一透明電極，所述第一透明電極包括位于像素區域的公共電極以及位于端子區的形成連接數據線和柵極線的公共電極。

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，尤其涉及陣列基板及其制造方法。

背景技術

近年來，顯示器件不斷在向著大尺寸、窄邊框、低功耗、高分辨率、高刷新率、柔性化方向等發展，金屬氧化物與銅互連技術背板顯示器在這些方面具有天然的優勢。同時，隨著TFT-LCD顯示技術不斷發展，降低顯示面板生產成本逐漸為每個企業生產首選課題，液晶顯示面板由TFT背板和CF背板通過成盒工藝組立而成，其中的TFT背板是采用多道光罩在不同層別上進行定義圖形，每一層別圖形制備工藝都包括清洗、成膜、光阻涂覆、掩膜曝光、顯影、刻蝕和剝離這些工序，通過多次循環這些工序，最終完成TFT器件的制備。為了降低面板生產成本和提升產品良品率，工程技術人員專注于減少使用光罩次數。

傳統非晶硅TFT采用FFS顯示技術，其量產制造工藝使用5道光罩或者6道光罩技術，對于金屬氧化物而言，由于其工藝穩定性較非晶硅復雜，現有主要量產工藝技術為9道光罩(溝道蝕刻阻擋型)，也有部分采用8道光罩工藝(背溝道蝕刻型)，同時工程技術人員在進行7道光罩(背溝道蝕刻型)，但是在這些減光罩工藝在制備過程中都會遇到金屬氧化物上層的金屬容易被氧化的問題(如金屬銅)。

金屬氧化物TFT開關采用7道光罩，具體為：第1道光罩形成柵極，第2道光罩形成半導體有源層,第3道光罩形成外圍橋接孔，第4道光罩形成源極和漏極,第5道光罩形成公共電極，第6道光罩形成像素區PAS2孔(用于像素電極與漏極相連)，第7道光罩形成像素電極。通常在制造背溝道蝕刻型金屬氧化物TFT開關時，會對背溝道中的金屬氧化物上表面進行氧化處理，此過程非常容易對金屬氧化物上層的金屬層的表層造成氧化問題。

發明內容

為解決上述減少光罩次數的技術問題，本發明提供一種陣列基板及其制造方法。

本發明提供的技術方案如下：

本發明公開了一種陣列基板，包括：端子區、縱橫交錯且位于端子區內的多個柵極線和多個數據線、由柵極線和數據線交叉限定的多個像素區域、位于柵極線和數據線交叉處的TFT開關、位于每個像素區域內的像素電極以及柵極絕緣層；

其中，TFT開關包括與柵極線同時形成的柵極、位于柵極下方的金屬氧化物溝道半導體層、與數據線連接的源極以及與源極相對設置的漏極，源極和漏極位于金屬氧化物溝道半導體層的上方且均與金屬氧化物溝道半導體層兩端接觸；

柵極絕緣層位于柵極和柵極線的下方且覆蓋在金屬氧化物溝道半導體層、數據線、源極和漏極上；

像素電極由金屬氧化物溝道半導體層的相同材料形成且通過離子注入形成。

優選的，還包括位于TFT開關下方的金屬遮光層以及位于TFT開關和金屬遮光層之間的絕緣過渡層。

優選的，還包括覆蓋在像素電極上的絕緣保護層以及位于絕緣保護層上的公共電極，公共電極包括位于像素區域內的第一公共電極以及位于端子區內且連接數據線和柵極線的第二公共電極。

優選的，像素區域的柵極和位于端子區的柵極線的線寬和角度為預設值。

優選的，金屬氧化物溝道半導體層和金屬氧化物像素電極半導體層為銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物單獨或者其混合物構成。