[發明專利]陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202010135098.7
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN111180471A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 陽志林;趙輝;馬國永;喻玥;薛小剛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：端子區、縱橫交錯且位于端子區內的多個柵極線和多個數據線、由柵極線和數據線交叉限定的多個像素區域、位于柵極線和數據線交叉處的TFT開關、位于每個像素區域內的像素電極以及柵極絕緣層；

其中，TFT開關包括與柵極線同時形成的柵極、位于柵極下方的金屬氧化物溝道半導體層、與數據線連接的源極以及與源極相對設置的漏極，源極和漏極位于金屬氧化物溝道半導體層的上方且均與金屬氧化物溝道半導體層兩端接觸；

柵極絕緣層位于柵極和柵極線的下方且覆蓋在金屬氧化物溝道半導體層、數據線、源極和漏極上；

像素電極由金屬氧化物溝道半導體層的相同材料形成且通過離子注入形成。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于TFT開關下方的金屬遮光層以及位于TFT開關和金屬遮光層之間的絕緣過渡層。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括覆蓋在像素電極上的絕緣保護層以及位于絕緣保護層上的公共電極，公共電極包括位于像素區域內的第一公共電極以及位于端子區內且連接數據線和柵極線的第二公共電極。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，像素區域的柵極和位于端子區的柵極線的線寬和角度為預設值。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，金屬氧化物溝道半導體層和金屬氧化物像素電極半導體層為銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物單獨或者其混合物構成。

6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括步驟：

形成位于像素區域的源漏極金屬層和位于端子區的數據線；

在源漏極金屬層上形成金屬氧化物溝道半導體層和作為像素電極前體的金屬氧化物像素電極半導體層；形成覆蓋金屬氧化物溝道半導體層、金屬氧化物像素電極半導體層和源漏極金屬層的柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成柵極金屬層，首先涂覆光阻和第一次刻蝕形成柵極金屬層形成位于像素區域的柵極以及位于端子區的柵極線，然后利用一次干法刻蝕使得像素區域的金屬氧化物像素電極半導體層被漏出來和端子區的數據線上方的柵極絕緣層被蝕刻；離子注入使得金屬氧化物像素電極半導體層導體化形成像素電極。

7.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟“然后利用一次干法刻蝕使得像素區域的金屬氧化物像素電極半導體層被漏出來和端子區的數據線上方的柵極絕緣層被蝕刻”之后還包括：

進行一次濕法蝕刻對柵極的線寬進行控制。

8.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，“形成位于像素區域的源漏極金屬層和位于端子區的數據線”之前還包括步驟：

在玻璃基板上形成位于像素區域的金屬遮光層；

形成覆蓋金屬遮光層的絕緣過渡層。

9.根據權利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括步驟：

形成覆蓋在柵極、柵極線和像素電極上的絕緣保護層，然后將位于端子區的絕緣保護層通過一次干法刻蝕至數據線上，同時形成位于數據線上的過孔；

形成第一透明電極，涂覆光阻和曝光刻蝕在像素區域形成獨立的第一公共電極，在端子區形成連接數據線和柵極線的第二公共電極。