[發明專利]混合裝置、混合方法以及基板處理系統在審
| 申請號: | 202010134070.1 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN111696889A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 野中純;稻田尊士;小倉康司 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混合 裝置 方法 以及 處理 系統 | ||
本發明提供一種混合裝置、混合方法以及基板處理系統。高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉積的添加劑。本公開的一個方式的混合裝置具備磷酸水溶液供給部、添加劑供給部、罐、磷酸水溶液供給線路以及添加劑供給線路。磷酸水溶液供給部用于供給磷酸水溶液。添加劑供給部用于供給抑制硅氧化物的沉積的添加劑。磷酸水溶液供給線路將磷酸水溶液供給部與罐連接。添加劑供給線路將添加劑供給部與罐連接。另外,混合裝置一邊對從磷酸水溶液供給部供給到罐的磷酸水溶液提供流動性,一邊供給添加劑。
技術領域
本公開的實施方式涉及一種混合裝置、混合方法以及基板處理系統。
背景技術
以往,已知在基板處理系統中通過使基板浸漬于包含磷酸水溶液和抑制硅氧化物(SiO2)的沉積的添加劑的蝕刻液中來對該基板進行蝕刻處理的技術(參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2017-118092號公報
發明內容
本公開提供一種能夠高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉積的添加劑的技術。
本公開的一個方式的混合裝置具備磷酸水溶液供給部、添加劑供給部、罐、磷酸水溶液供給線路、添加劑供給線路。磷酸水溶液供給部用于供給磷酸水溶液。添加劑供給部用于供給抑制硅氧化物的沉積的添加劑。磷酸水溶液供給線路將所述磷酸水溶液供給部與所述罐連接。添加劑供給線路將所述添加劑供給部與所述罐連接。另外,所述混合裝置一邊對從所述磷酸水溶液供給部供給到所述罐的所述磷酸水溶液提供流動性,一邊供給所述添加劑。
根據本公開,能夠高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉積的添加劑。
附圖說明
圖1是示出實施方式所涉及的基板處理系統的結構的概要框圖。
圖2是示出實施方式所涉及的蝕刻液生成處理中的混合裝置的各部的行為模式的具體例的時序圖。
圖3是示出實施方式的變形例1所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖4是示出實施方式的變形例1所涉及的蝕刻液生成處理中的混合裝置的各部的行為模式的具體例的時序圖。
圖5是示出實施方式的變形例2所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖6是示出實施方式的變形例3所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖7是示出實施方式的變形例4所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖8是示出實施方式的變形例5所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖9是示出實施方式的變形例6所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖10是示出實施方式的變形例7所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖11是示出實施方式的變形例8所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖12是示出實施方式的變形例9所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
圖13是示出實施方式的變形例10所涉及的混合裝置的結構的概要框圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





