[發(fā)明專利]混合裝置、混合方法以及基板處理系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010134070.1 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN111696889A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 野中純;稻田尊士;小倉康司 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合 裝置 方法 以及 處理 系統(tǒng) | ||
1.一種混合裝置,具備:
磷酸水溶液供給部,其用于供給磷酸水溶液;
添加劑供給部,其用于供給抑制硅氧化物的沉積的添加劑;
罐;
磷酸水溶液供給線路,其將所述磷酸水溶液供給部與所述罐連接;以及
添加劑供給線路,其將所述添加劑供給部與所述罐連接,
其中,所述混合裝置一邊對從所述磷酸水溶液供給部供給到所述罐的所述磷酸水溶液提供流動性一邊供給所述添加劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合裝置,其特征在于,還具備:
從所述罐出去并返回所述罐的循環(huán)線路;以及
設(shè)置于所述循環(huán)線路的泵,
其中,通過使所述泵動作在所述循環(huán)線路中形成循環(huán)流,來對所述磷酸水溶液提供流動性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合裝置,其特征在于,
從所述添加劑供給線路向所述罐供給所述添加劑的添加劑供給口與所述循環(huán)線路的出口相鄰地設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合裝置,其特征在于,
從所述添加劑供給線路向所述罐供給所述添加劑的添加劑供給口與所述循環(huán)線路的入口相鄰地設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任一項所述的混合裝置,其特征在于,
還具備設(shè)置于所述罐的攪拌裝置,
其中,通過使所述攪拌裝置工作,來對所述磷酸水溶液提供流動性。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的混合裝置,其特征在于,
所述攪拌裝置是向貯存于所述罐的所述磷酸水溶液供給鼓泡氣體的鼓泡裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的混合裝置,其特征在于,
所述攪拌裝置是對貯存于所述罐的所述磷酸水溶液進行攪拌的攪拌翼。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的混合裝置,其特征在于,
所述攪拌裝置是朝向貯存于所述罐的所述磷酸水溶液產(chǎn)生超聲波的超聲波產(chǎn)生裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中的任一項所述的混合裝置,其特征在于,
在所述罐的上部設(shè)置有多個從所述添加劑供給線路向所述罐供給所述添加劑的添加劑供給口。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~8中的任一項所述的混合裝置,其特征在于,
從所述添加劑供給線路向所述罐供給所述添加劑的添加劑供給口設(shè)置于所述罐的下部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中的任一項所述的混合裝置,其特征在于,
所述罐具有內(nèi)槽和外槽,
通過使所述磷酸水溶液從所述內(nèi)槽向所述外槽溢出,來對所述磷酸水溶液提供流動性。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的混合裝置,其特征在于,
向所述內(nèi)槽供給所述添加劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求1~12中的任一項所述的混合裝置,其特征在于,
還具備加熱器,該加熱器對貯存于所述罐的所述磷酸水溶液進行加熱。
14.一種混合方法,包括:
向流動的磷酸水溶液中供給抑制硅氧化物的沉積的添加劑并進行混合的混合工序;以及
對所述磷酸水溶液和所述添加劑混合所得到的混合液進行加熱的加熱工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的混合方法,其特征在于,
所述混合工序包括:以使所述添加劑在流動的所述磷酸水溶液的液面上擴散的方式供給所述添加劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的混合方法,其特征在于,
所述混合工序包括:向流動的所述磷酸水溶液的液中,以不損害所述磷酸水溶液的流動性的方式供給所述添加劑。
17.一種基板處理系統(tǒng),具備:
權(quán)利要求1~13中的任一項所述的混合裝置,以及
使用由所述混合裝置混合的所述磷酸水溶液與所述添加劑的混合液來處理基板的基板處理裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





