[發明專利]一種同時構筑納米孔結構和表面電性的制膜方法有效
| 申請號: | 202010133938.6 | 申請日: | 2020-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN111282441B | 公開(公告)日: | 2021-11-09 |
| 發明(設計)人: | 孫世鵬;夏前程;樊凡;季銘;王悅;王振遠 | 申請(專利權)人: | 南京工業大學 |
| 主分類號: | B01D61/02 | 分類號: | B01D61/02;B01D67/00;B01D69/06;B01D69/08;B01D71/64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 同時 構筑 納米 結構 表面 方法 | ||
1.一種同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,包括如下步驟:
第1步,提供一種含有胺基的聚合物膜修飾劑,采用保護劑對胺基進行反應保護,得到經過保護后的修飾劑;
第2步,提供一種含有酰亞胺的聚合物的溶液,加入經過保護后的修飾劑,混合均勻后,使溶液形成分離膜的形狀,再置于能夠脫除保護劑的凝固浴中進行相轉化處理,得到聚合物膜;
凝固浴中發生的脫保護反應能夠生成氣體分子;
凝固浴是酸溶液。
2.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,分離膜的形狀是指平板狀或者中空纖維狀。
3.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,第2步中進行相轉化處理后,采用升溫熱處理。
4.根據權利要求3所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,升溫熱處理是指升溫至40-90℃。
5.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,含有胺基類的聚合物膜修飾劑是聚乙烯亞胺、乙二胺、三乙胺、己二胺或者三乙烯四胺。
6.根據權利要求5所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,聚乙烯亞胺的分子量是400-70000 Da;含有胺基類的聚合物膜修飾劑和保護劑的質量比是1:1-1:3。
7.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,保護劑是二碳酸二叔丁酯、叔丁氧羰基、芐氧羰基或者2-聯苯基-2-丙氧羰基。
8.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,第1步的步驟是含有胺基的聚合物膜修飾劑與溶劑混合配制成溶液,再加入保護劑,進行反應;聚合物膜修飾劑在溶液中的質量比是5-30%;反應完成后,對產物進行離心、洗滌處理。
9.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,含有酰亞胺的聚合物選自聚醚酰亞胺、聚酰亞胺或者聚酰胺酰亞胺。
10.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,第2步中在含有酰亞胺的聚合物的溶液中,含有酰亞胺的聚合物的濃度為5-40%。
11.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,第2步中,經過保護后的修飾劑在溶液中的加入量是1-10%。
12.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,凝固浴是鹽酸,鹽酸的濃度是0.1-5mol/L。
13.根據權利要求1所述的同時構筑膜的納米孔結構和表面電性的制膜方法,其特征在于,所述的聚合物膜是指選擇性分離膜。
14.權利要求1所述的制膜方法得到的聚合物膜在溶液過濾中的應用。
15.根據權利要求14所述的應用,其特征在于,所述的溶液是指含有染料的溶液。
16.根據權利要求15所述的應用,其特征在于,所述的含有染料的溶液是指單組分染料溶液或者雙組分染料溶液。
17.根據權利要求16所述的應用,其特征在于,當使用雙組分染料溶液時,所述的聚合物膜能夠實現兩種染料的相互分離。
18.根據權利要求14所述的應用,其特征在于,所述的溶液是指含有無機鹽的溶液。
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