[發明專利]一種氫氟酸循環利用洗石墨舟的方法有效
| 申請號: | 202010133589.8 | 申請日: | 2020-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN111354637B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 姚騫;張忠文;謝毅 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(眉山)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/311 | 分類號: | H01L21/311;H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 彭星 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氫氟酸 循環 利用 石墨 方法 | ||
本發明涉及太陽能電池生產制造技術領域,具體是一種氫氟酸循環利用洗石墨舟的方法,用于解決現有技術中在電池片的清洗過程中對氫氟酸浪費較大的問題。本發明包括以下步驟:步驟1:將使用過的舊氫氟酸收集并儲存在廢酸儲存池中;步驟2:將廢酸儲存池中的舊氫氟酸抽入自配存放池中;步驟3:測量自配存放池中的舊氫氟酸濃度;步驟4:根據測量自配存放池中舊氫氟酸的濃度,向自配存放池中加入新氫氟酸或者清水,直到自配存放池中舊氫氟酸的濃度達到要求為止;步驟5:將自配存放池中的舊氫氟酸加入石墨舟清洗槽中,并將帶返工片的花籃放入石墨舟清洗槽中浸泡。本發明中通過上述方法可以節省大量的氫氟酸。
技術領域
本發明涉及太陽能電池生產制造技術領域,更具體的是涉及一種氫氟酸循環利用洗石墨舟的方法。
背景技術
在電池生產中的需要使用到大量的氫氟酸,一方面是在制絨工序,對絨面進行制絨,另一方面還需要使用氫氟酸去除硅片表面的氧化層,還需要使用氫氟酸清洗硅片表面或石墨舟表面的氮化硅,還有對石墨舟表面的氧化層進行清洗等,所以氫氟酸的耗量很大,而且排放量也很大。
現有技術中鍍膜后的返工片清洗機使用外圍集中供酸液進行去氮化硅清洗,將氫氟酸抽入PE返工片清洗機內進行浸泡清洗和純水漂洗,這部分氫氟酸經過反復使用后,直接排掉,另一方面制絨工序和刻蝕工序的酸槽,經過一段時間的使用后,也會將氫氟酸直接排掉。
可見,現有技術在電池片的清洗過程中對氫氟酸的浪費較大。因此,我們迫切的需要一種可以節省氫氟酸用量的方法。
發明內容
基于以上問題,本發明提供了一種氫氟酸循環利用洗石墨舟的方法,用于解決現有技術中在電池片的清洗過程中對氫氟酸的浪費較大的問題。本發明中通過將舊氫氟酸收集在廢酸儲存池中,然后將舊氫氟酸再次配兌直到到達要求的濃度后,再用于對返工片的清洗,以此達到對舊氫氟酸的循環利用,從而可以節省大量的氫氟酸。
本發明為了實現上述目的具體采用以下技術方案:
一種氫氟酸循環利用洗石墨舟的方法,包括以下步驟:
步驟1:將使用過的舊氫氟酸收集并儲存在廢酸儲存池中;
步驟2:將廢酸儲存池中的舊氫氟酸抽入自配存放池中;
步驟3:測量自配存放池中的舊氫氟酸濃度;
步驟4:根據測量自配存放池中舊氫氟酸的濃度,向自配存放池中加入新氫氟酸或者清水,直到自配存放池中舊氫氟酸的濃度達到要求為止;
步驟5:將自配存放池中的舊氫氟酸加入石墨舟清洗槽中,并將帶返工片的花籃放入石墨舟清洗槽中浸泡。
工作原理:將制絨工序或其他清洗工序中大量使用的舊氫氟酸儲存在廢酸儲存池中,當需要對返工片進行清洗時,可以將廢酸儲存池中的舊氫氟酸抽到自配存放池中,然后對舊氫氟酸的濃度進行測量,若舊氫氟酸的濃度高于要求的濃度時,可以向廢酸儲存池中增加清水,直到舊氫氟酸達到要求的濃度后停止向廢酸儲存池中增加清水;若舊氫氟酸的濃度低于要求的濃度時,可以向廢酸儲存池中增加新氫氟酸,新氫氟酸的濃度要求高于舊氫氟酸的濃度,直到舊氫氟酸達到要求的濃度后停止向廢酸儲存池中增加新氫氟酸,然后將配兌好后的舊氫氟酸加入石墨舟清洗槽中,再將帶返工片的花籃放入石墨舟清洗槽中浸泡,這樣舊氫氟酸就可以得到再從利用,從而可以節省大量的氫氟酸。
作為一種優選的方式,所述石墨舟清洗槽、廢酸儲存池、自配存放池依次通過導液管連通,所述自配存放池與石墨舟清洗槽間通過連通管連通,所述石墨舟清洗槽與廢酸儲存池間的導液管上、廢酸儲存池與自配存放池間的導液管上、自配存放池與石墨舟清洗槽間的連通管上均安裝有水閥,所述石墨舟清洗槽的下部還安裝有流出管,所述流出管上安裝有水閥。
作為一種優選的方式,所述新氫氟酸盛裝在新酸存放池中,所述新酸存放池與自配存放池通過加酸管連通,所述加酸管上安裝有水閥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





