[發明專利]輔助圖形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相關設備

在審

• 申請號: 202010130479.6
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN113325662A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 柏鋒;張婉娟;黃宜斌;徐垚;張帆
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F1/70
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

本發明實施例提供一種輔助圖形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相關設備，其中所述配置方法包括：提供主圖形，所述主圖形具有沿第一方向延伸的邊，第二方向與第一方向垂直，所述主圖形曝光時在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面與所述第二最佳焦平面之間具有最佳焦平面偏移量；在所述主圖形周圍提供初始輔助圖形；提取所述初始輔助圖形的配置參數，所述配置參數與所述最佳焦平面偏移量具有對應關系；基于配置參數的調整，獲得與預設最佳焦平面偏移量對應的配置信息；根據所述配置信息在主圖形周圍配置輔助圖形。本發明實施例有利于提高光刻質量。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種輔助圖形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相關設備。

背景技術

光刻技術是半導體制作技術中至關重要的一項技術，光刻技術能夠實現將圖形從掩膜版中轉移到硅片表面，形成符合設計要求的半導體產品。光刻工藝包括曝光步驟、曝光步驟之后進行的顯影步驟。在曝光步驟中，光線通過掩膜版中透光的區域照射至涂覆有光刻膠的硅片上，光刻膠在光線的照射下發生化學反應；在顯影步驟中，利用感光和未感光的光刻膠對顯影劑的溶解程度的不同，形成光刻圖案，實現掩膜版圖案轉移到光刻膠上。在進行光刻工藝后，通常還包括進行刻蝕步驟，也就是說，基于光刻膠層所形成的光刻圖案對硅片進行刻蝕，將掩膜版的圖案轉移至硅片上。

在半導體制造中，隨著設計尺寸的不斷縮小，設計尺寸越來越接近光刻成像系統的極限，光的衍射效應變得越來越明顯，導致最終對設計圖形產生光學影像退化，實際形成的光刻圖案相對于掩膜版上的圖案發生嚴重畸變，最終在硅片上經過光刻形成的實際圖形和設計圖形不同，這種現象稱為光學鄰近效應(OPE：Optical Proximity Effect)。亞分辨率輔助圖形(Sub-Resolution Assist Features)、光學臨近修正(Optical ProximityCorrection，簡稱OPC)、反向光刻(Inverse Lithography Technology，簡稱ILT)、雙重圖形(Double Patterning)、自對準雙重圖形(Self-aligned Double Patterning)等技術手段均被用來提高光刻分辨率。

散射條(Scattering Bar，簡稱SB或者Sbar)是一種亞分辨率輔助圖形，其利用在主圖形(Main Pattern)周圍設置輔助圖形，以提高主圖形的光刻質量。其中，主圖形為可曝光圖形，而散射條通常為不可曝光圖形。

發明內容

本發明實施例解決的問題是提供一種輔助圖形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相關設備，以提高主圖形的光刻質量。

為解決上述問題，本發明實施例提供一種輔助圖形的配置方法，包括：提供主圖形，所述主圖形具有沿第一方向延伸的邊，第二方向與所述第一方向垂直，所述主圖形曝光時在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面與所述第二最佳焦平面之間具有最佳焦平面偏移量；在所述主圖形周圍提供初始輔助圖形；提取所述初始輔助圖形的配置參數，所述配置參數與所述最佳焦平面偏移量具有對應關系；基于所述配置參數的調整，獲得與預設最佳焦平面偏移量對應的配置信息；根據所述配置信息在主圖形周圍配置輔助圖形。

可選地，所述配置參數包括：所述初始輔助圖形的尺寸，以及所述初始輔助圖形與主圖形之間的距離中的一種或兩種。

可選地，所述初始輔助圖形包括：第一初始輔助圖形和第二初始輔助圖形，所述第二初始輔助圖形的長寬比與所述第一初始輔助圖形的長寬比不同。

可選地，所述配置參數包括：第一初始輔助圖形的長寬比，第二初始輔助圖形的長寬比，或者第一初始輔助圖形與第二初始輔助圖形的數量比中的一種或多種。