[發明專利]輔助圖形的配置方法、掩膜版及其形成方法和相關設備

在審

• 申請號: 202010130479.6
• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號: CN113325662A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 柏鋒;張婉娟;黃宜斌;徐垚;張帆
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F1/70
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種輔助圖形的配置方法，其特征在于，包括：

提供主圖形，所述主圖形具有沿第一方向延伸的邊，第二方向與所述第一方向垂直，所述主圖形曝光時在第一方向具有第一最佳焦平面，在第二方向具有第二最佳焦平面，所述第一最佳焦平面與所述第二最佳焦平面之間具有最佳焦平面偏移量；

在所述主圖形周圍提供初始輔助圖形；

提取所述初始輔助圖形的配置參數，所述配置參數與所述最佳焦平面偏移量具有對應關系；

基于所述配置參數的調整，獲得與預設最佳焦平面偏移量對應的配置信息；

根據所述配置信息在主圖形周圍配置輔助圖形。

2.如權利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述配置參數包括：所述初始輔助圖形的尺寸，以及所述初始輔助圖形與主圖形之間的距離中的一種或兩種。

3.如權利要求1所述的配置方法，其特征在于，所述初始輔助圖形包括：第一初始輔助圖形和第二初始輔助圖形，所述第二初始輔助圖形的長寬比與所述第一初始輔助圖形的長寬比不同。

4.如權利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述配置參數包括：第一初始輔助圖形的長寬比，第二初始輔助圖形的長寬比，或者第一初始輔助圖形與第二初始輔助圖形的數量比中的一種或多種。

5.如權利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述配置參數包括：所述第一初始輔助圖形的寬度、所述第一初始輔助圖形的長度、相鄰第一初始輔助圖形的間距、所述第一初始輔助圖形與主圖形之間的距離、所述第二初始輔助圖形的寬度、所述第二初始輔助圖形的長度、所述第二初始輔助圖形與主圖形之間的距離、相鄰第二初始輔助圖形的間距、以及第一初始輔助圖形和第二初始輔助圖形的數量比例中的一種或多種。

6.如權利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述第一初始輔助圖形為正方形，所述第二初始輔助圖形為長方形。

7.如權利要求3所述的配置方法，其特征在于，在主圖形周圍提供初始輔助圖形的步驟包括：

以所述主圖形為中心向外圍依次配置至少一組初始輔助圖形，

所述一組初始輔助圖形包括：第一初始輔助圖形以及位于所述第一初始輔助圖形外圍的第二初始輔助圖形。

8.如權利要求3所述的配置方法，其特征在于，所述第一初始輔助圖形與所述第二初始輔助圖形間隔排布。

9.如權利要求1～8任一項權利要求所述的配置方法，其特征在于，所述主圖形為條形主圖形，所述條形主圖形沿第一方向具有輔助圖形的第一配置信息；

所述條形主圖形沿第二方向具有輔助圖形的第二配置信息；

所述第二配置信息與所述第一配置信息不同。

10.如權利要求1～8任一項權利要求所述的配置方法，其特征在于，通過建模的方式在所述主圖形周圍提供初始輔助圖形；

通過改變模型中的數據進行配置參數的調整，獲得配置信息。

11.如權利要求1～8任一項權利要求所述的配置方法，其特征在于，在所述主圖形周圍提供初始輔助圖形的步驟包括：提供掩膜版，所述掩膜版包括主圖形以及位于主圖形周圍的輔助圖形；

通過所述掩膜版進行光刻形成的光刻圖形調整配置參數，以獲得配置信息。

12.如權利要求1～8任一項權利要求所述的配置方法，其特征在于，所述輔助圖形為散射條。

13.一種掩膜版的形成方法，其特征在于，包括：

提供芯片設計圖形，所述芯片設計圖形包括多類主圖形；

采用權利要求1～12任一項的配置方法對每一類主圖形進行輔助圖形配置，獲得與每一類主圖形相對應的輔助圖形配置信息；

提供芯片掩膜版，包括至少一類主圖形；

根據與所述主圖形相對應的輔助圖形配置信息，對掩膜版上的主圖形進行輔助圖形配置。