[發(fā)明專利]一種高功率激光應(yīng)用的散熱基座

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010129788.1
• 申請(qǐng)日: 2020-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113328335A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪子航;陳曦;柯航;項(xiàng)樺;鄧鵬;于光龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州高意光學(xué)有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/024
• 分類號(hào): H01S5/024;H01S5/02
• 代理公司: 福州君誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

本發(fā)明公開(kāi)了一種高功率激光應(yīng)用的散熱基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序設(shè)置的緊密接觸層和電極層，其中，位于基底上端面的電極層上還設(shè)有釬焊層，所述的基底為SiC成型。本方案通過(guò)巧妙性利用SiC，即碳化硅，來(lái)作為散熱基座的基底材料，而碳化硅（熱導(dǎo)率約為370 W/m/K以上）的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的AlN材料（熱導(dǎo)率約為280 W/m/K），其中，6H SiC熱導(dǎo)率為480W/m/k；4H SiC熱導(dǎo)率為370W/m/K，其遠(yuǎn)大于AlN的熱導(dǎo)率280W/m/K，因此，以SiC為基底制備的散熱基座，散熱能力大大增強(qiáng)，可以滿足≥30w的高功率激光的散熱需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及激光散熱器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種高功率激光應(yīng)用的散熱基座。

背景技術(shù)

激光器在工作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，而其配套的散熱組件的散熱能力直接影響了激光器能否持續(xù)工作或保持較為穩(wěn)定的工作狀態(tài)，傳統(tǒng)激光器的散熱基底主要是采用AlN（氮化鋁）材料作為散熱基底，而AlN材料僅可應(yīng)用于功率在30W以內(nèi)的激光器件，對(duì)于高于30W功率的激光散熱而言，AlN材料無(wú)法提供較優(yōu)良的持續(xù)導(dǎo)熱能力或快速熱量導(dǎo)出能力，因此也制約了激光器在30W以上功率的使用。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的目的在于提供一種散熱能力好且能夠保證激光器工作穩(wěn)定的高功率激光應(yīng)用的散熱基座。

為了實(shí)現(xiàn)上述的技術(shù)目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：

一種高功率激光應(yīng)用的散熱基座，其包括：基底，在基底上端面和下端面依序設(shè)置的緊密接觸層和電極層，其中，位于基底上端面的電極層上還設(shè)有釬焊層，所述的基底為SiC成型，所述的SiC為4H或6H碳化硅。

作為一種可能的實(shí)施方式，進(jìn)一步，所述的緊密接觸層為兩層且相互疊置形成。

作為一種可能的實(shí)施方式，進(jìn)一步，所述的電極層為三層且相互疊置形成。

作為一種可能的實(shí)施方式，進(jìn)一步，所述的釬焊層為兩層且相互疊置形成。

作為一種可能的實(shí)施方式，進(jìn)一步，所述的電極層和緊密接觸層之間還至少設(shè)有一層過(guò)渡金屬層。

作為一種可能的選擇方式，優(yōu)選的，所述的過(guò)渡金屬層為貴金屬疊置形成。

采用上述的技術(shù)方案，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其具有的有益效果為：本方案通過(guò)巧妙性利用SiC，即碳化硅，來(lái)作為散熱基座的基底材料，而碳化硅（熱導(dǎo)率約為370 W/m/K以上）的熱導(dǎo)率遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的AlN材料（熱導(dǎo)率約為280 W/m/K），其中，6H SiC熱導(dǎo)率為480W/m/k；4H SiC熱導(dǎo)率為370W/m/K ，其遠(yuǎn)大于AlN的熱導(dǎo)率280W/m/K，因此，以SiC為基底制備的散熱基座，散熱能力大大增強(qiáng)，可以滿足≥30w的高功率激光的散熱需求。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明方案做進(jìn)一步的闡述：

圖1為本發(fā)明方案的簡(jiǎn)要實(shí)施結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明高功率激光應(yīng)用的散熱基座，其包括：基底8，在基底8上端面和下端面依序設(shè)置的緊密接觸層1、2和電極層3、4、5，其中，位于基底8上端面的電極層3、4、5上還設(shè)有釬焊層6、7，所述的基底8為SiC成型，所述的SiC為4H或6H碳化硅。

其中，所述的緊密接觸層1、2為兩層且相互疊置形成；所述的電極層3、4、5為三層且相互疊置形成；所述的釬焊層6、7為兩層且相互疊置形成。

另外，所述的電極層3、4、5和緊密接觸層1、2之間還可以至少設(shè)有一層過(guò)渡金屬層，而所述的過(guò)渡金屬層為貴金屬疊置形成。

以上僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，并不是限制本發(fā)明的范圍，凡在本發(fā)明申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)皆為本發(fā)明所涵蓋。