[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN113327842A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃帥
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L21/04;H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供待刻蝕層；于待刻蝕層的表面形成光刻膠層；對光刻膠層進(jìn)行曝光處理，曝光后的光刻膠層包括掩膜部分和待去除部分；于光刻膠層的表面形成作用材料層；作用材料層與掩膜部分相互作用，以于掩膜部分的頂部形成掩膜層；去除殘留的作用材料層；基于掩膜層刻蝕去除待去除部分，以形成掩膜圖形。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，能避免掩膜圖形出現(xiàn)傾斜問題，使得后期形成的刻蝕圖形更精確，提高器件質(zhì)量，提高產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

光刻(photoetching)是通過一系列生產(chǎn)步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留的是特征圖形部分。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。但是，曝光后的光刻膠層經(jīng)過顯影后形成的圖形化光刻膠層經(jīng)常會(huì)傾斜，從而導(dǎo)致后期形成的微圖形結(jié)構(gòu)不精確。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，針對上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供待刻蝕層；于所述待刻蝕層的表面形成光刻膠層；對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理，曝光后的所述光刻膠層包括掩膜部分和待去除部分；于所述光刻膠層的表面形成作用材料層；所述作用材料層與所述掩膜部分相互作用，以于所述掩膜部分的頂部形成掩膜層；去除殘留的所述作用材料層；基于所述掩膜層刻蝕去除所述待去除部分，以形成掩膜圖形。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，能避免掩膜圖形出現(xiàn)傾斜問題，使得后期形成的刻蝕圖形更精確，提高器件質(zhì)量，提高產(chǎn)品良率。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在形成所述掩膜圖形之后，還包括：基于所述掩膜圖形刻蝕所述待刻蝕層，以形成刻蝕圖形。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述作用材料層包括含金屬的堿性材料層或有機(jī)金屬高分子材料層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述作用材料層與所述掩膜部分相互擴(kuò)散，以于所述掩膜部分的頂部形成掩膜層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述作用材料層與所述掩膜部分相互擴(kuò)散包括：對所述作用材料層和所述掩膜部分進(jìn)行熱處理，以使所述作用材料層與所述掩膜部分相互擴(kuò)散。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述熱處理的時(shí)間介于0.5分鐘～12分鐘之間，所述熱處理的溫度介于50℃～150℃之間。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：待刻蝕層；曝光后的光刻膠層，位于所述待刻蝕層的表面，所述光刻膠層包括掩膜部分和待去除部分；作用材料層，位于所述光刻膠層的表面；掩膜層，位于所述掩膜部分的頂部；所述掩膜層由所述作用材料層與所述掩膜部分相互作用而形成。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，能避免后期形成的掩膜圖形出現(xiàn)傾斜問題，使得后期形成的刻蝕圖形更精確，提高器件質(zhì)量，提高產(chǎn)品良率。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述掩膜部分包括曝光區(qū)域。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述掩膜部分包括曝光區(qū)域，所述待去除部分包括未曝光區(qū)域。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述掩膜部分包括未曝光區(qū)域，所述待去除部分包括曝光區(qū)域。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述作用材料層包括含金屬的堿性材料層或有機(jī)金屬高分子材料層。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法的流程圖。

圖2～圖10為本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法中各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，圖5亦為本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。