[發明專利]半導體結構及其制備方法在審
| 申請號： | 202010129156.5 | 申請日： | 2020-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN113327842A | 公開（公告）日： | 2021-08-31 |
| 發明（設計）人： | 黃帥 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/04;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供待刻蝕層；
于所述待刻蝕層的表面形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進行曝光處理，曝光后的所述光刻膠層包括掩膜部分和待去除部分；
于所述光刻膠層的表面形成作用材料層；所述作用材料層與所述掩膜部分相互作用，以于所述掩膜部分的頂部形成掩膜層；
去除殘留的所述作用材料層；
基于所述掩膜層刻蝕去除所述待去除部分，以形成掩膜圖形。
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，在形成所述掩膜圖形之后，還包括：基于所述掩膜圖形刻蝕所述待刻蝕層，以形成刻蝕圖形。
3.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述作用材料層包括含金屬的堿性材料層或有機金屬高分子材料層。
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述作用材料層與所述掩膜部分相互擴散，以于所述掩膜部分的頂部形成掩膜層。
5.根據權利要求4所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述作用材料層與所述掩膜部分相互擴散包括：對所述作用材料層和所述掩膜部分進行熱處理，以使所述作用材料層與所述掩膜部分相互擴散。
6.根據權利要求5所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述熱處理的時間介于0.5分鐘～12分鐘之間，所述熱處理的溫度介于50℃～160℃之間。
7.一種半導體結構，其特征在于，包括：
待刻蝕層；
曝光后的光刻膠層，位于所述待刻蝕層的表面，所述光刻膠層包括掩膜部分和待去除部分；
作用材料層，位于所述光刻膠層的表面；
掩膜層，位于所述掩膜部分的頂部；所述掩膜層由所述作用材料層與所述掩膜部分相互作用而形成。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述掩膜部分包括曝光區域，所述待去除部分包括未曝光區域。
9.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述掩膜部分包括未曝光區域，所述待去除部分包括曝光區域。
10.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述作用材料層包括含金屬的堿性材料層或有機金屬高分子材料層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司，未經長鑫存儲技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010129156.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
