[發(fā)明專利]一種超薄堆疊封裝方式

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010128854.3
• 申請(qǐng)日: 2020-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN111341679A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郁發(fā)新;馮光建;王永河;馬飛;程明芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L21/54;H01L21/56;H01L21/768
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

1.一種超薄堆疊封裝方式，其特征在于，包括以下步驟：

A，在轉(zhuǎn)接板表面挖凹槽，嵌入不同厚度的芯片，芯片和凹槽的縫隙灌入膠體；

B，減薄轉(zhuǎn)接板表面，減薄轉(zhuǎn)接板背面，刻蝕硅材質(zhì)使芯片PAD露出；

C，沉積鈍化層，刻蝕鈍化層使芯片PAD露出，在芯片表面做RDL和焊盤；

D，把多層轉(zhuǎn)接板通過中間層做晶圓級(jí)鍵合，在晶圓表面做TSV孔，TSV孔內(nèi)填充金屬；

E，轉(zhuǎn)接板正面做CMP去除表面金屬，做RDL互聯(lián)線，做bump得到最終封裝結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的超薄堆疊封裝方式，其特征在于，所述步驟A具體包括：

在硅轉(zhuǎn)接板刻蝕出空腔，特殊形貌的空腔采用濕法腐蝕的方式；空腔深度范圍在100nm到700um之間，形狀包括方形，圓形，橢圓形和三角形，側(cè)壁是垂直的，或者是有斜坡的；

把不同厚度的芯片用膠粘的方式嵌入到凹槽中，芯片PAD互聯(lián)面朝下，在凹槽中填充膠體使芯片和凹槽縫隙被填滿。

3.如權(quán)利要求1所述的超薄堆疊封裝方式，其特征在于，所述步驟C具體包括：

在晶圓開凹槽一面沉積鈍化層，然后刻蝕鈍化層使PAD露出，通過光刻和電鍍工藝制作RDL使凹槽中PAD電性被引出。

4.如權(quán)利要求1所述的超薄堆疊封裝方式，其特征在于，所述步驟D具體包括：

通過粘貼工藝把多層減薄后的轉(zhuǎn)接板堆疊，堆疊方式包括晶圓級(jí)膠粘鍵合，也包括晶圓級(jí)金屬熔融鍵合；

通過光刻和干法刻蝕的工藝在晶圓表面做TSV孔，沉積鈍化層，打開焊盤底部金屬，做種子層沉積，電鍍金屬得到互聯(lián)RDL。

5.如權(quán)利要求4所述的超薄堆疊封裝方式，其特征在于，堆疊層數(shù)大于3層。