[發明專利]反射型掩膜的清洗裝置、及反射型掩膜的清洗方法

在審

• 申請號: 202010128850.5
• 申請日: 2015-02-19
• 公開（公告）號: CN111308856A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 松嶋大輔;出村健介;鈴木將文;中村聰
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82;G03F1/24;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/42;B08B7/00
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 鹿屹;李雪春

本發明提供一種能夠抑制設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層的光學特性的劣化的反射型掩膜的清洗裝置、及反射型掩膜的清洗方法。具體而言，實施方式所涉及的反射型掩膜的清洗裝置具備：第1供給部，向設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層供給由還原性氣體生成的等離子體生成物；及第2供給部，向所述覆蓋層供給還原性溶液。

本申請是國際申請日為2015年2月19日、發明名稱為“反射型掩膜的清洗裝置、及反射型掩膜的清洗方法”的第201580012600.2號專利申請的分案申請。

技術領域

本發明的實施方式涉及反射型掩膜的清洗裝置、及反射型掩膜的清洗方法。

背景技術

一種部件，其為具有包含釕(Ru)等容易被氧化的材料的層的部件。

例如，在使用極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet極紫外線)來進行細微的圖形的復制的EUV光刻法中所使用的反射型掩膜具有含釕的覆蓋層(也稱為阻擋層等)。

在該反射型掩膜的制造中，通過在基板的主面上依次形成反射層、覆蓋層、吸收層，并對吸收層進行干式蝕刻處理，而形成有具有所希望的圖形的圖形區域。而且，通過對吸收層、覆蓋層、及反射層進行干式蝕刻處理，而形成有包圍圖形區域的遮光區域(也稱為遮光框等)。

在此，在對吸收層進行干式蝕刻處理時所使用的保護掩膜是通過進行使用有臭氧水、或硫酸和過氧化氫溶液的混合液的清洗來去除的。

可是，當在覆蓋層由釕形成的情況下進行這樣的清洗時，則釕產生氧化而形成氧化釕。

而且，當形成氧化釕時，則產生有反射率降低的問題。

此外，存在有下述情況，即，在EUV光刻裝置上使用反射型掩膜時，由于由保護膜產生的包含有機物的氣體到達反射型掩膜，因此在反射型掩膜上附著有有機物。

在反射型掩膜上附著的有機物也是通過進行使用有臭氧水、或硫酸和過氧化氫溶液的混合液的清洗來去除的(例如，參照專利文獻1)。

此外，存在有下述情況，即，在前述的清洗工序、干式蝕刻工序中的處理、或處理裝置間的搬運的中途，反射型掩膜被暴露于含氧的氣氛中。

含釕的覆蓋層的一部分從吸收層露出。

因此，產生有下述這樣的問題，即，在露出的部分上形成有氧化釕，導致反射率降低，從而導致作為反射型掩膜的光學特性劣化。

專利文獻1：日本特開2011-181657號公報

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種能夠抑制設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層的光學特性的劣化的反射型掩膜的清洗裝置、及反射型掩膜的清洗方法。

實施方式所涉及的反射型掩膜的清洗裝置具備：第1供給部(具體實施方式中的第3供給部)，向設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層供給由還原性氣體生成的等離子體生成物；及第2供給部，向所述覆蓋層供給還原性溶液。

此外，其他的實施方式所涉及的反射型掩膜的清洗方法具備：向設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層供給由還原性氣體生成的等離子體生成物的工序；及向所述覆蓋層供給還原性溶液的工序。

根據本發明的實施方式，可提供一種能夠抑制設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層的光學特性的劣化的清洗裝置及清洗方法。

附圖說明

圖1是用于例示作為被清洗物W的反射型掩膜210的模式剖面圖。

圖2是用于例示本實施方式所涉及的清洗裝置101的模式圖。

圖3是用于例示干式清洗裝置102的模式圖。