[發明專利]反射型掩膜的清洗裝置、及反射型掩膜的清洗方法在審
| 申請號： | 202010128850.5 | 申請日： | 2015-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN111308856A | 公開（公告）日： | 2020-06-19 |
| 發明（設計）人： | 松嶋大輔;出村健介;鈴木將文;中村聰 | 申請（專利權）人： | 芝浦機械電子株式會社 |
| 主分類號： | G03F1/82 | 分類號： | G03F1/82;G03F1/24;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/42;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 鹿屹;李雪春 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反射 型掩膜 清洗 裝置 方法 | ||
1.一種反射型掩膜的清洗裝置，其特征在于，具備：
第1供給部，向設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層供給由還原性氣體生成的等離子體生成物；
及第2供給部，向所述覆蓋層供給還原性溶液。
2.根據權利要求1所述的反射型掩膜的清洗裝置，其特征在于，所述第1供給部向在表面上附著有有機物的所述反射型掩膜供給所述等離子體生成物。
3.根據權利要求1所述的反射型掩膜的清洗裝置，其特征在于，所述反射型掩膜具有圖形區域、及以包圍所述圖形區域的方式設置的遮光區域，且在所述圖形區域中露出有所述覆蓋層。
4.根據權利要求1所述的反射型掩膜的清洗裝置，其特征在于，所述還原性氣體包含氨或氫。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的反射型掩膜的清洗裝置，其特征在于，所述覆蓋層還包含氧化釕，
通過所述第2供給部供給所述還原性溶液而使所述氧化釕還原，從而使所述覆蓋層中的所述氧化釕的比例減少。
6.一種反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，具備：向設置于反射型掩膜的含釕的覆蓋層供給由還原性氣體生成的等離子體生成物的工序；及向所述覆蓋層供給還原性溶液的工序。
7.根據權利要求6所述的反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，在所述供給由還原性氣體生成的等離子體生成物的工序中，向在表面上附著有有機物的所述反射型掩膜供給所述等離子體生成物。
8.根據權利要求6所述的反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，所述反射型掩膜具有圖形區域、及以包圍所述圖形區域的方式設置的遮光區域，且在所述圖形區域中露出有所述覆蓋層。
9.根據權利要求6至8中任意一項所述的反射型掩膜的清洗方法，其特征在于，所述覆蓋層還包含氧化釕，
且在所述供給還原性溶液的工序中，通過供給所述還原性溶液而使所述氧化釕還原，從而使所述覆蓋層中的所述氧化釕的比例減少。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
