[發(fā)明專利]一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010128584.6 | 申請(qǐng)日： | 2020-02-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111455410A | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 尹奎波;文一峰;熊雨薇;楊皓翔;李雪綺;薛淳;孫立濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C25C5/00 | 分類號(hào)： | C25C5/00;C22F3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 藍(lán)霞 |
| 地址： | 210018 江蘇省南*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電子束 輻照 制備 合金 納米 晶體 方法 | ||
1.一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法，其特征在于，包括以下步驟：將原料二氧化錫納米材料和鋰金屬分別作為兩個(gè)電極，其中，所述二氧化錫納米顆粒作為負(fù)極，所述鋰金屬作為正極，施加電壓得到鋰-錫-氧非晶產(chǎn)物；將鋰-錫-氧非晶產(chǎn)物放置在電子束下輻照，得到鋰錫合金晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法，其特征在于，所述二氧化錫納米材料的尺寸在20至150納米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法，其特征在于，所述二氧化錫納米材料的形貌結(jié)構(gòu)包括納米顆粒，納米棒，納米線，納米球，納米立方體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法，其特征在于，所述二氧化錫納米材料和鋰金屬的摩爾比在1:5至1:10之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法，其特征在于，所述施加電壓為二氧化錫納米材料電極相對(duì)于鋰金屬電極的負(fù)電壓，電勢(shì)差在2-10伏特之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子束輻照制備鋰錫合金納米晶體的方法，其特征在于，所述輻照劑量在2.19×104至3.38×105 安培每平方米之間，輻照時(shí)長(zhǎng)在5至30分鐘之間。
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