[發明專利]磁性裝置

在審

• 申請號: 202010125817.7
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN112490263A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 及川忠昭;李永珉;吉野健一;北川英二;澤田和也;磯田大河
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實施方式提供一種維持保留特性且減小飽和磁化及膜厚的積的磁性裝置。實施方式的磁性裝置具備磁阻效應元件。所述磁阻效應元件包含第1強磁性體、第2強磁性體、所述第1強磁性體與所述第2強磁性體之間的第1非磁性體、以及與所述第1非磁性體之間夾著所述第1強磁性體的第2非磁性體。所述第1非磁性體及所述第2非磁性體含有氧化鎂(MgO)。所述第1強磁性體與所述第2非磁性體的界面比所述第1強磁性體與所述第1非磁性體的界面含有更多的硼(B)。

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2019-165228號(申請日：2019年9月11日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的所有內容。

技術領域

實施方式涉及一種磁性裝置。

背景技術

已知一種具有磁性元件的磁性裝置。

發明內容

本發明要解決的問題是提供一種維持保留(retention)特性且減小飽和磁化及膜厚的積的磁性裝置。

實施方式的磁性裝置具備磁阻效應元件。所述磁阻效應元件包含第1強磁性體、第2強磁性體、所述第1強磁性體與所述第2強磁性體之間的第1非磁性體、以及與所述第1非磁性體之間夾著所述第1強磁性體的第2非磁性體。所述第1非磁性體及所述第2非磁性體含有氧化鎂(MgO)。所述第1強磁性體與所述第2非磁性體的界面比所述第1強磁性體與所述第1非磁性體的界面含有更多的硼(B)。

附圖說明

圖1是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置的構成的框圖。

圖2是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的電路圖。

圖3是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的剖視圖。

圖4是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的剖視圖。

圖5是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置的磁阻效應元件的構成的剖視圖。

圖6是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置的存儲層中的硼的分布的簡圖。

圖7是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置中的磁阻效應元件的制造方法的示意圖。

圖8是用來說明第1實施方式的磁性存儲裝置中的磁阻效應元件的制造方法的示意圖。

圖9是用來說明第1實施方式的效果的示意圖。

圖10是用來說明第1變化例的磁性存儲裝置中的磁阻效應元件的制造方法的示意圖。

圖11是用來說明第2變化例的磁性存儲裝置中的磁阻效應元件的制造方法的示意圖。

圖12是用來說明第3變化例的磁性存儲裝置的存儲單元陣列的構成的示意圖。

圖13是用來說明第3變化例的磁性存儲裝置的存儲單元的構成的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進行說明。此外，在以下的說明中，對于具有相同功能及構成的構成要素，標注共通的參照符號。另外，在將具有共通的參照符號的多個構成要素加以區分的情況下，對該共通的參照符號標注附標來加以區分。此外，在無需特別區分多個構成要素的情況下，僅對該多個構成要素標注共通的參照符號，而不標注附標。此處，附標并不限定于下標或上標，例如，包含添加在參照符號末尾的小寫字母、及意指排列的索引等。

1.第1實施方式