[發明專利]磁性裝置

在審

• 申請號: 202010125817.7
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN112490263A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 及川忠昭;李永珉;吉野健一;北川英二;澤田和也;磯田大河
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種磁性裝置，具備積層體，

所述積層體包含：

第1強磁性體；

第2強磁性體；

所述第1強磁性體與所述第2強磁性體之間的第1非磁性體；以及

與所述第1非磁性體之間夾著所述第1強磁性體的第2非磁性體；且

所述第1非磁性體及所述第2非磁性體含有氧化鎂(MgO)，

所述第1強磁性體與所述第1非磁性體的界面比所述第1強磁性體與所述第2非磁性體的界面含有更多的硼(B)。

2.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體的膜厚與飽和磁化的積小于2.5e-4emu/cm²。

3.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述積層體還包含與所述第1強磁性體之間夾著所述第2非磁性體的第3非磁性體，

所述第3非磁性體含有選自銥(Ir)、釕(Ru)、及銠(Rh)中的至少1種元素。

4.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體包含第1部分、及所述第1部分與所述第2非磁性體之間的第2部分，

所述第1強磁性體的所述第1部分比所述第1強磁性體的所述第2部分含有更多的硼(B)。

5.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體內所含的硼(B)的量從所述第1非磁性體朝向所述第2非磁性體單調遞減。

6.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1非磁性體比所述第2非磁性體含有更多的硼(B)。

7.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體與所述第1非磁性體及所述第2非磁性體相接。

8.根據權利要求7所述的磁性裝置，其中

所述第2強磁性體與所述第1非磁性體相接。

9.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體及所述第2強磁性體含有選自鐵(Fe)、鈷(Co)、及鎳(Ni)中的至少1種元素。

10.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體

根據從所述第1強磁性體向所述第2強磁性體的第1電流而成為第1電阻值，

根據從所述第2強磁性體向所述第1強磁性體的第2電流而成為第2電阻值。

11.根據權利要求10所述的磁性裝置，其中

所述第1電阻值小于所述第2電阻值。

12.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述第1強磁性體設置在所述第2強磁性體的上方。

13.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述磁性裝置具備存儲單元，

所述存儲單元包含：

磁阻效應元件，包含所述積層體；以及

切換元件，與所述積層體串聯地連接。

14.根據權利要求13所述的磁性裝置，其中

所述切換元件是二端子型切換元件。

15.根據權利要求1所述的磁性裝置，其中

所述積層體還包含第3強磁性體、以及

所述第2強磁性體與所述第3強磁性體之間的第4非磁性體，

所述第2強磁性體與所述第3強磁性體具有朝向互不相同的方向的磁化。

16.根據權利要求15所述的磁性裝置，其中

所述第4非磁性體含有選自釕(Ru)、鋨(Os)、銥(Ir)、釩(V)、及鉻(Cr)中的至少1種元素。

17.根據權利要求15所述的磁性裝置，其中

所述第3強磁性體設置在所述第2強磁性體的下方。