[發明專利]一種SiCf

有效

• 申請號: 202010125246.7
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111393178B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 王志江;趙海瑞
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C04B35/80
• 分類號: C04B35/80;C04B35/565;C09K3/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

一種SiC_f@BN核殼結構短切纖維的制備方法，具體涉及一種SiC_f@BN核殼結構短切纖維的制備方法。屬于航空航天、吸波、環保、催化、生物傳感、半導體材料、能源和核防護材料制備領域。本發明的目的是為了解決傳統碳化硅短切纖維吸波性能較弱的問題，制備方法：一、預處理；二、浸漬；三、焙燒；四、重復焙燒，得到具有BN外殼的SiC_f@BN。優點：一、成本低、操作簡單；二、BN外殼的厚度可調節；三、具有優異的吸波性能。本發明應用于具有核殼結構的SiC_f@BN的制備領域。

技術領域

本發明涉及一種SiC_f@BN核殼結構短切纖維的制備方法。

背景技術

作為一種在吸波方面有極大應用潛力的材料，碳化硅短切纖維(SiC_f)自身具有一定的吸波性能，在一定程度上能夠吸收電磁波，減少電磁輻射污染、信息泄露等問題的發生，在民用和軍事領域上都有廣泛的應用前景。同時，SiC_f具有密度低、化學性質穩定、熱穩定性優異等特點，能夠滿足一些極端條件下的應用要求。但是，在2GHz～18GHz頻率范圍內對SiC_f進行吸波性能測試，結果表明SiC_f能達到的反射損耗值(RL)只有-16.433dB，雖然小于-10dB，具有一定的吸波性能，但是吸波效果并不優異。

發明內容

本發明的目的是為了解決傳統碳化硅短切纖維吸波性能較弱的問題，提供了一種SiC_f@BN核殼結構短切纖維的制備方法。

本發明一種SiC_f@BN核殼結構短切纖維的制備方法，是按以下步驟完成的：

一、預處理：稱取碳化硅短切纖維，加入堿溶液中，于20℃～80℃條件下攪拌洗滌，抽濾、蒸餾水洗滌至中性后，轉移至HF溶液中，攪拌洗滌，抽濾、蒸餾水洗滌至中性后，再于HCl溶液中洗滌，然后抽濾、蒸餾水洗滌至中性，再在20℃～160℃條件下烘干，得到預處理后的碳化硅短切纖維；

二、浸漬：稱取硼源、氮源，加入溶劑A中，超聲5min～60min，獲得浸漬液，將預處理后的碳化硅短切纖維浸沒到浸漬液中，超聲3min～10min，然后靜置浸漬，抽濾，將抽濾后得到的固體物于20℃～160℃條件下干燥，得到浸漬硼源、氮源后的碳化硅短切纖維；其中溶劑A為水和甲醇按體積比1:(0.5～3)的比例混合而成的溶液；

三、焙燒：將浸漬硼源、氮源后的碳化硅短切纖維置于管式爐中，于氮氣環境中升溫，然后進行焙燒，待冷卻至室溫后，停止通氣；

四、重復焙燒：步驟三處理后即完成SiC_f@BN核殼結構短切纖維的制備或將步驟二和步驟三的操作重復1～10次，得到具有SiC_f@BN核殼結構的短切纖維。