[發明專利]磁性存儲裝置

有效

• 申請號: 202010124947.9
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN112563410B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 津端修一
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10N50/10
• 分類號: H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種磁性存儲裝置，具備：

第1導電體，具有第1面；

所述第1導電體的所述第1面上的第1構造，包含第1強磁體；

所述第1構造上的第1絕緣體；

所述第1絕緣體上的第2構造，包含第2強磁體；

第2導電體，與所述第1導電體的所述第1面及所述第1構造的側面相接；

第2絕緣體，位于所述第2導電體上，且覆蓋所述第1絕緣體的側面，與所述第1構造的側面及所述第2構造的側面相接；及

第3導電體，位于所述第2絕緣體上，且與所述第2構造的所述側面相接。

2.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其中

所述磁性存儲裝置更具備所述第2構造上的第4導電體，

所述第3導電體進而與所述第4導電體的側面相接。

3.根據權利要求1或2所述的磁性存儲裝置，其中

所述第2導電體、所述第2絕緣體、及所述第3導電體之組進而覆蓋所述第1構造的所述側面及所述第2構造的所述側面之組。

4.根據權利要求1或2中任一項所述的磁性存儲裝置，其更具備將所述第2導電體的側面、所述第2絕緣體的側面、及所述第3導電體的側面覆蓋的第3絕緣體。

5.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其中

所述第2導電體包含在被氧化狀態下具有導電性的元素。

6.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其中

所述第2導電體包含Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ta、W、Ir、及Pt中的1種以上。

7.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其中

所述第2絕緣體具備與所述第1絕緣體的材料不同的材料。

8.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其中

所述第2絕緣體包含被氧化后具有絕緣性的導電性元素。

9.根據權利要求1所述的磁性存儲裝置，其中

所述第2絕緣體包含Mg、Si、Al、Sc、Y、Hf、及Nd中的1種以上。