[發明專利]磁性存儲裝置

有效

• 申請號: 202010124947.9
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN112563410B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 津端修一
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10N50/10
• 分類號: H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實施方式提供一種高性能的磁性存儲裝置。實施方式的磁性存儲裝置包含具有第1面的第1導電體。包含第1強磁體的第1構造設置在第1導電體的第1面上。第1絕緣體設置在第1構造上。包含第2強磁體的第2構造設置在第1絕緣體上。第2導電體與第1導電體的第1面及第1構造的側面相接。第2絕緣體位于第2導電體上，且覆蓋第1絕緣體的側面，與第1構造的側面及第2構造的側面相接。第3導電體位于第2絕緣體上，且與第2構造的側面相接。

相關申請案

本申請案享有以日本專利申請案2019-164886號(申請日：2019年9月10日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的所有內容。

技術領域

實施方式概括地涉及一種磁性存儲裝置。

背景技術

已知有一種能夠利用磁阻效應存儲數據的磁性存儲裝置。

發明內容

本發明所要解決的問題是提供一種高性能的磁性存儲裝置。

實施方式的磁性存儲裝置包含具有第1面的第1導電體。包含第1強磁體的第1構造設置在所述第1導電體的所述第1面上。第1絕緣體設置在所述第1構造上。包含第2強磁體的第2構造設置在所述第1絕緣體上。第2導電體與所述第1導電體的所述第1面及所述第1構造的側面相接。第2絕緣體位于所述第2導電體上，且覆蓋所述第1絕緣體的側面，與所述第1構造的側面及所述第2構造的側面相接。第3導電體位于所述第2絕緣體上，與所述第2構造的所述側面相接。

附圖說明

圖1表示第1實施方式的磁性存儲裝置的功能模塊。

圖2是第1實施方式的1個存儲單元的電路圖。

圖3表示第1實施方式的存儲單元的一部分截面構造。

圖4表示第1實施方式的存儲單元的一部分構造的制造步驟的一個狀態。

圖5表示接著圖4的狀態。

圖6表示接著圖5的狀態。

圖7表示接著圖6的狀態。

圖8表示接著圖7的狀態。

圖9表示第2實施方式的存儲單元的一部分截面構造。

圖10表示第2實施方式的存儲單元的一部分構造的制造步驟的一個狀態。

圖11表示接著圖10的狀態。

圖12表示接著圖11的狀態。

圖13表示接著圖12的狀態。

圖14表示接著圖13的狀態。

圖15表示接著圖14的狀態。

圖16表示接著圖15的狀態。

圖17表示接著圖16的狀態。

具體實施方式

以下，參照附圖，描述實施方式。

在以下記載中，存在具有大致相同的功能及構成的構成要素標注相同符號，并省略重復說明的情況。附圖為示意性，且厚度與平面尺寸的關系、各層的厚度比率等可能與實際情況不同。另外，在附圖相互間也可能包含彼此的尺寸關系或比率不同的部分。

而且，對某個實施方式的記載只要未被明示或明顯地排除，則也全部適用于其他實施方式的記載。各實施方式例示了用來將該實施方式的技術思想具體化的裝置或方法，實施方式的技術思想未將構成零件的材質、形狀、構造、配置等指定為下述情況。