[發明專利]半導體結構的形成方法及半導體結構有效
| 申請號： | 202010123734.4 | 申請日： | 2020-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN113314457B | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 楊年旺;王玉塵 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/528;H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：
形成互連層以及覆蓋于所述互連層表面的導電層；
形成覆蓋所述導電層背離所述互連層表面的保護層；
刻蝕所述保護層和所述導電層，形成貫穿所述保護層和所述導電層的溝槽，且刻蝕過程中僅于所述保護層中形成削角；
采用高密度等離子體沉積工藝沉積部分介質層于所述溝槽的側壁和底壁，此次沉積的所述介質層未填充滿所述溝槽；
再采用高密度等離子體沉積工藝對所述溝槽進行封口，形成具有空氣隙的介質層，所述空氣隙自所述導電層中的所述溝槽內延伸至所述保護層中的所述溝槽內，所述空氣隙的頂面與所述保護層的頂面平齊，以通過增大所述空氣隙的高度來降低所述導電層發生裂縫的風險。
2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述互連層包括多個互連線以及位于相鄰所述互連線之間的隔離層；形成互連層以及覆蓋于所述互連層表面的導電層的具體步驟包括：
形成第一粘附層于所述互連層表面；
沉積金屬材料于所述第一粘附層背離所述互連層的表面，形成所述導電層。
3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成覆蓋所述導電層背離所述互連層表面的保護層的具體步驟包括：
形成第二粘附層于所述導電層背離所述第一粘附層的表面；
沉積介電材料于所述第二粘附層表面，形成所述保護層。
4.根據權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沉積介電材料于所述第二粘附層表面的具體步驟包括：
采用等離子體增強化學氣相沉積工藝或高密度等離子體化學氣相沉積工藝沉積介電材料于所述第二粘附層表面。
5.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為氧化物材料、氮化物材料、氮氧化物材料中的一種或者兩種以上的組合。
6.根據權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成貫穿所述保護層和所述導電層的溝槽的具體步驟包括：
至少刻蝕所述保護層、所述第二粘附層、所述導電層和所述第一粘附層，形成貫穿所述保護層、所述第二粘附層、所述導電層和所述第一粘附層的所述溝槽。
7.根據權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成貫穿所述保護層和所述導電層的溝槽的具體步驟包括：
刻蝕所述保護層、所述第二粘附層、所述導電層和所述第一粘附層和部分所述隔離層，形成貫穿所述保護層、所述第二粘附層、所述導電層和所述第一粘附層、并延伸至所述隔離層內的所述溝槽。
8.一種半導體結構，其特征在于，采用如權利要求1-7中任一項所述的半導體結構的形成方法形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
