[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202010123709.6
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN111627906A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 康伯堅;周文昇;彭永州
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/07
• 分類號: H01L27/07
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

多個晶體管，串聯連接在電源端子和接地端子之間，并且所述晶體管的柵極端子連接在一起；以及

電阻器，覆蓋在所述晶體管上方，所述電阻器連接在所述晶體管和所述接地端子之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一金屬互連件，其中，所述第一金屬互連件將所述晶體管的所述柵極端子連接在一起。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：

第二金屬互連件，其中，所述第二金屬互連件將一個所述晶體管的源極端子連接到所述電阻器的第一端；以及

第三金屬互連件，其中，所述第三金屬互連件將所述電阻器的第二端連接到所述接地端子。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一金屬互連件、所述第二金屬互連件和所述第三金屬互連件通過覆蓋在所述晶體管上方的多個金屬互連層來實施。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，將所述電阻器實施在兩個所述金屬互連層之間的層處。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，將所述電阻器實施在所述金屬互連層中的頂層與頂部金屬層之間的層處。

7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，將所述電阻器實施在頂部金屬層和接合焊盤層之間的層處。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述晶體管形成在第一區域內，所述電阻器形成在與所述第一區域重疊的第二區域中。

9.一種半導體器件，包括：

第一組晶體管，串聯連接在第一電源端子和第一接地端子之間，并且所述第一組中的所述晶體管的柵極端子連接在一起；

第二組晶體管，串聯連接在第二電源端子和第二接地端子之間，并且所述第二組中的所述晶體管的柵極端子連接在一起并且連接到所述第一組中的所述晶體管的所述柵極端子；

第一電阻器，覆蓋在所述第一組的第一晶體管上方，所述第一電阻器連接在所述第一組的所述第一晶體管與所述第一接地端子之間；以及

第二電阻器，覆蓋在所述第二組的第二晶體管上方，所述第二電阻器連接在所述第二組的所述第二晶體管與所述第二接地端子之間。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

通過在第一電源端子和第一接地端子之間串聯連接多個第一晶體管并且將所述第一晶體管的柵極端子連接在一起來形成第一等效晶體管；

通過在第二電源端子和第二接地端子之間串聯連接多個第二晶體管并且將所述第二晶體管的柵極端子連接在一起來形成第二等效晶體管；

在所述第一等效晶體管上方形成第一電阻器，所述第一電阻器連接在所述第一等效晶體管和所述第一接地端子之間；以及

在所述第二等效晶體管上方形成第二電阻器，所述第二電阻器連接在所述第二等效晶體管和所述第二接地端子之間。