[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010123450.5
• 申請(qǐng)日: 2020-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN113314400A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L27/02;H01L27/108
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件的制備方法包括：提供待刻蝕層；于待刻蝕層的表面形成圖形化的第一犧牲層，第一犧牲層包括暴露待刻蝕層的開口；于開口內(nèi)形成第二犧牲層，第二犧牲層與第一犧牲層包括接觸面；接觸面處的第一犧牲層與第二犧牲層反應(yīng)生成第三犧牲層；至少去除部分未反應(yīng)的第一犧牲層和第二犧牲層，以形成圖形化掩膜結(jié)構(gòu)；基于圖形化掩膜結(jié)構(gòu)刻蝕待刻蝕層，以形成待刻蝕圖形。上述半導(dǎo)體器件的制備方法使得在器件特征尺寸相同的情況下，第一犧牲層的特征尺寸變大，而且為器件特征尺寸的進(jìn)一步縮小成為可能，還能提高器件的良率，提高生產(chǎn)效率，節(jié)約成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，是最為常見的內(nèi)存芯片。這些年來，DRAM持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展，使得每個(gè)芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，然而需要集成電路設(shè)計(jì)的最小線寬和間距的不斷縮小。但是，當(dāng)曝光線條的特征尺寸接近于曝光系統(tǒng)的理論分辨極限時(shí)，硅片表面的成像就會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的畸變，從而導(dǎo)致光刻圖形質(zhì)量的嚴(yán)重下降。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：提供待刻蝕層；于所述待刻蝕層的表面形成圖形化的第一犧牲層，所述第一犧牲層包括暴露所述待刻蝕層的開口；于所述開口內(nèi)形成第二犧牲層，所述第二犧牲層與所述第一犧牲層包括接觸面；所述接觸面處的所述第一犧牲層與所述第二犧牲層反應(yīng)生成第三犧牲層；至少去除部分未反應(yīng)的所述第一犧牲層、未反應(yīng)的所述第二犧牲層及所述第三犧牲層三者中的至少一者，以形成圖形化掩膜結(jié)構(gòu)；基于所述圖形化掩膜結(jié)構(gòu)刻蝕所述待刻蝕層，以形成待刻蝕圖形。

上述半導(dǎo)體器件的制備方法使得在器件特征尺寸相同的情況下，第一犧牲層的特征尺寸變大，而且為器件特征尺寸的進(jìn)一步縮小成為可能，還能提高器件的良率，提高生產(chǎn)效率，節(jié)約成本。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，至少去除部分未反應(yīng)的所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，以形成圖形化掩膜結(jié)構(gòu)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，去除未反應(yīng)的所述第一犧牲層及部分未反應(yīng)的所述第二犧牲層以形成所述圖形化掩膜結(jié)構(gòu)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一犧牲層含有中和劑，所述第二犧牲層含有光致堿產(chǎn)生劑。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一犧牲層包括光刻膠或酚醛樹脂類化合物。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二犧牲層包括光刻膠、聚烯丙胺混合物或含有聚合物樹脂的混合物。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述第一犧牲層和所述第二犧牲層進(jìn)行熱處理，以使所述接觸面處的所述第一犧牲層與所述第二犧牲層反應(yīng)生成所述第三犧牲層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述熱處理的時(shí)間介于30s～90s之間，所述熱處理的溫度介于50℃～150℃之間。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一犧牲層包括若干第一犧牲層單元。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一犧牲層單元俯視的形狀包括圓形、三角形或四邊形。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一犧牲層單元包括柱狀結(jié)構(gòu)，若干個(gè)所述第一犧牲單元呈多行多列陣列排布。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述若干第一犧牲層單元連接接觸成若干條狀第一犧牲層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述若干第一犧牲層單元連接接觸成一體。