[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010123450.5
• 申請日: 2020-02-27
• 公開（公告）號: CN113314400A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 高瑋
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L27/02;H01L27/108
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕層；

于所述待刻蝕層的表面形成圖形化的第一犧牲層，所述第一犧牲層包括暴露所述待刻蝕層的開口；

于所述開口內形成第二犧牲層，所述第二犧牲層與所述第一犧牲層包括接觸面；

所述接觸面處的所述第一犧牲層與所述第二犧牲層反應生成第三犧牲層；

至少去除部分未反應的所述第一犧牲層、未反應的所述第二犧牲層及所述第三犧牲層三者中的至少一者，以形成圖形化掩膜結構；

基于所述圖形化掩膜結構刻蝕所述待刻蝕層，以形成待刻蝕圖形。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，至少去除部分未反應的所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，以形成圖形化掩膜結構。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，去除未反應的所述第一犧牲層及部分未反應的所述第二犧牲層以形成所述圖形化掩膜結構。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層含有中和劑，所述第二犧牲層含有光致堿產生劑。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層包括光刻膠或酚醛樹脂類化合物。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二犧牲層包括光刻膠、聚烯丙胺混合物或含有聚合物樹脂的混合物。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，對所述第一犧牲層和所述第二犧牲層進行熱處理，以使所述接觸面處的所述第一犧牲層與所述第二犧牲層反應生成所述第三犧牲層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述熱處理的時間介于30s～90s之間，所述熱處理的溫度介于50℃～160℃之間。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層包括若干第一犧牲層單元。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層單元俯視的形狀包括圓形、三角形或四邊形。

11.根據權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層單元包括柱狀結構，若干個所述第一犧牲單元呈多行多列陣列排布。

12.根據權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述若干第一犧牲層單元連接接觸成若干條狀第一犧牲層。

13.根據權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述若干第一犧牲層單元連接接觸成一體。

14.一種半導體器件，其特征在于，包括：

待刻蝕層；

圖形化的第一犧牲層，位于所述待刻蝕層的表面，所述第一犧牲層包括暴露所述待刻蝕層的開口；

第二犧牲層，位于所述開口內；

第三犧牲層，位于所述第二犧牲層與所述第一犧牲層之間，所述第三犧牲層由所述第一犧牲層與所述第二犧牲層反應而形成。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其特征在于，所述第一犧牲層包括若干第一犧牲層單元，若干所述第一犧牲層單元呈多行多列陣列排布，所述第一犧牲層單元包括柱狀結構，所述第一犧牲層單元的橫截面形狀包括圓形、三角形或四邊形。