[發(fā)明專利]量測(cè)封裝天線的傳導(dǎo)及輻射特性的綜合系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010123222.8
• 申請(qǐng)日: 2020-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN111289809B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃榮書;葉柏榕;蘇勝義;喬鴻培;李子勝;蔡憲毅;吳俞宏;邱宗文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳思科技有限公司;揚(yáng)博科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R29/10
• 分類號(hào): G01R29/10
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

一種量測(cè)封裝天線的傳導(dǎo)及輻射特性的綜合系統(tǒng)，其包括一微波暗室、一射頻量測(cè)設(shè)備、一饋源天線、一芯片吸取裝置及一封裝測(cè)試基座。該封裝測(cè)試基座包括可相接合或分開的一第一基座部及一第二基座部。該第一基座部固定地設(shè)置在該微波暗室的頂板上方。該芯片吸取裝置穿伸過該第二基座部定義出的一通孔，該芯片吸取裝置與該第二基座部連動(dòng)，當(dāng)該第二基座部與該第一基座部相接合時(shí)，該射頻量測(cè)設(shè)備依序通過該第一基座部、該第二基座部電連接該封裝天線以量測(cè)該封裝天線的一射頻傳導(dǎo)特性參數(shù)，并且，該射頻量測(cè)設(shè)備還電連接該饋源天線以量測(cè)該封裝天線的一輻射特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種量測(cè)系統(tǒng)，特別是一種量測(cè)封裝天線的傳導(dǎo)及輻射特性的綜合系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著行動(dòng)通信技術(shù)的演變與多元化應(yīng)用，現(xiàn)有一種將天線集成到芯片封裝中的天線模塊，稱為“封裝天線(Antenna in Package,AiP)”。在封裝天線的開發(fā)過程中，需要利用一封裝測(cè)試基座(SKT)檢測(cè)封裝天線的傳導(dǎo)電性參數(shù)。在進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，是將該封裝天線設(shè)置在該封裝測(cè)試基座上，并以探針直接接觸封裝天線的接腳以與封裝天線構(gòu)成電性連接，再通過測(cè)試信號(hào)的傳遞與量測(cè)，以進(jìn)行該封裝天線的傳導(dǎo)電性測(cè)試。

實(shí)務(wù)上，封裝天線不只要接受傳導(dǎo)電性測(cè)試，更需進(jìn)一步進(jìn)行輻射特性參數(shù)的量測(cè)，其中，所述輻射特性參數(shù)可例如為空中下載技術(shù)(Over-The-Air Technology,OTA)的各項(xiàng)參數(shù)。然而，基于傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座的先天上的功能限制，傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座只能用來進(jìn)行封裝天線的傳導(dǎo)電性測(cè)試，其無法用來量測(cè)封裝天線的輻射特性參數(shù)。由此可見，當(dāng)封裝天線在通過傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座的傳導(dǎo)電性測(cè)試之后，需從傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座卸下，另再裝上一輻射特性測(cè)試裝置(例如智能手機(jī))，才能利用該輻射特性測(cè)試裝置對(duì)該封裝天線進(jìn)行輻射特性的各項(xiàng)參數(shù)量測(cè)。

如此一來，當(dāng)封裝天線安裝在傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座時(shí)，只能進(jìn)行傳導(dǎo)電性測(cè)試，無法同時(shí)進(jìn)行輻射特性參數(shù)量測(cè)；另一方面，將封裝天線設(shè)置在輻射特性測(cè)試裝置中才進(jìn)行整機(jī)OTA參數(shù)量測(cè)，若OTA測(cè)試后發(fā)現(xiàn)效能不佳，必須修改封裝天線的設(shè)計(jì)，而修改設(shè)計(jì)后的封裝天線仍須再次安裝至傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座以進(jìn)行傳導(dǎo)電性測(cè)試，通過后再另外安裝到輻射特性測(cè)試裝置進(jìn)行OTA參數(shù)量測(cè)。

綜上所述，因?yàn)閭鹘y(tǒng)封裝測(cè)試基座的功能限制，其只能供進(jìn)行傳導(dǎo)電性測(cè)試，而為了讓封裝天線進(jìn)行輻射特性的參數(shù)量測(cè)，必須另外使用輻射特性測(cè)試裝置。通過傳統(tǒng)封裝測(cè)試基座與輻射特性測(cè)試裝置分開量測(cè)傳導(dǎo)電性參數(shù)與輻射特性參數(shù)，整體而言讓封裝天線的檢測(cè)時(shí)程無法進(jìn)一步縮短，相對(duì)延宕封裝天線的開發(fā)時(shí)程。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決前述已知技術(shù)的問題，本發(fā)明提出一種量測(cè)封裝天線的傳導(dǎo)及輻射特性的綜合系統(tǒng)，用以量測(cè)封裝天線，以期克服背景技術(shù)所述已知技術(shù)造成延宕封裝天線(AiP)的開發(fā)時(shí)程的技術(shù)問題。

本發(fā)明量測(cè)封裝天線的傳導(dǎo)及輻射特性的綜合系統(tǒng)包括：

一微波暗室，其包括一地板及一面對(duì)該地板的頂板，該頂板包括一射頻窗戶；

一射頻量測(cè)設(shè)備；

一饋源天線，其設(shè)置于該微波暗室內(nèi)；

一芯片吸取裝置，以吸力取放及移動(dòng)一封裝天線；及

一封裝測(cè)試基座，包括能夠相接合或分開的一第一基座部及一第二基座部，該第一基座部固定地設(shè)置在該微波暗室的頂板上方，該第一基座部呈一環(huán)狀并界定出一第一通孔，該第一通孔與該射頻窗戶在該地板的法線方向上相重疊，該第二基座部界定出一第二通孔，該芯片吸取裝置穿伸過該第二基座部的第二通孔，該芯片吸取裝置與該第二基座部連動(dòng)，當(dāng)該第二基座部與該第一基座部相接合時(shí)，該射頻量測(cè)設(shè)備通過該第一基座部與該第二基座部電連接該封裝天線以量測(cè)該封裝天線的一射頻傳導(dǎo)特性參數(shù)，并且，該射頻量測(cè)設(shè)備還電連接該饋源天線以量測(cè)該封裝天線的一輻射特性參數(shù)，此外，當(dāng)該饋源天線及該封裝天線的其中一者作為發(fā)射天線時(shí)，另一者對(duì)應(yīng)地作為接收天線。