[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 202010122853.8 | 申請日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN111627946A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | 陳暎究;金永燦;權容鉉;林茂燮;鄭泰燮 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
圖像傳感器包括偏振器陣列和深度像素陣列。偏振器陣列可包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一單位像素至第四單位像素,并且可包括分別設置在第一單位像素至第四單位像素中的偏振光柵。第一單位像素至第四單位像素的偏振光柵可具有彼此不同的偏振方向。深度像素陣列可包括分別對應于第一單位像素至第四單位像素的深度像素。深度像素中的每一個可包括光電轉換裝置和共同連接至光電轉換裝置的第一讀取電路和第二讀取電路。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年2月28日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0024003的優先權,并且其全部內容通過引用并入本文。
技術領域
本公開涉及一種圖像傳感器,并且具體地,涉及一種能夠實現三維圖像的圖像傳感器。
背景技術
圖像傳感器是將光學圖像轉換為電信號的電子裝置。隨著計算機和通信行業的近期發展,對在諸如數碼相機、攝像機、個人通信系統、游戲機、安全相機、醫用微型相機和/或機器人等各種應用中的高性能圖像傳感器的需求越來越大。此外,最近正在開發用于實現三維和/或彩色圖像的圖像傳感器。
發明內容
本發明構思的實施例提供了一種圖像傳感器,其被構造為容易從朝著對象發射并且被對象反射的光中獲得信號,所述信號包含關于偏振狀態和相對于對象的深度的信息。
根據本發明構思的實施例,一種圖像傳感器可包括:偏振器陣列,其包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一單位像素至第四單位像素,偏振器陣列包括分別設置在第一單位像素至第四單位像素中的偏振光柵。第一單位像素至第四單位像素的偏振光柵具有彼此不同的偏振方向。圖像傳感器還包括:深度像素陣列,其包括分別對應于第一單位像素至第四單位像素的深度像素。深度像素中的每一個可包括光電轉換裝置以及共同連接至光電轉換裝置的第一讀取電路和第二讀取電路。
根據本發明構思的實施例,一種圖像傳感器可包括:半導體襯底,其具有彼此相對的第一表面和第二表面,并且包括多個像素區域;光電轉換區域,其分別位于半導體襯底的各像素區域中;第一讀取電路和第二讀取電路,其位于像素區域中的每一個中的半導體襯底的第一表面上;以及偏振器陣列,其位于半導體襯底的第二表面上。偏振器陣列可包括分別設置在像素區域中的偏振光柵。像素區域的偏振光柵可具有彼此不同的偏振方向。
根據本發明構思的實施例,一種圖像傳感器可包括:偏振器陣列,其包括二維地布置的第一單位像素至第四單位像素,并且包括分別設置在第一單位像素至第四單位像素中并且具有彼此不同的偏振方向的偏振光柵;深度像素陣列,其包括分別對應于第一單位像素至第四單位像素的深度像素,深度像素中的每一個包括光電轉換裝置以及連接至光電轉換裝置的第一讀取電路至第四讀取電路;以及微透鏡陣列,其包括分別對應于第一單位像素至第四單位像素的微透鏡。偏振器陣列可設置在微透鏡陣列與深度像素陣列之間。
附圖說明
通過以下結合附圖的簡單描述,將更清楚地理解示例實施例。
附圖表示本文所述的非限制性示例實施例。
圖1是示意性地示出根據本發明構思的實施例的圖像傳感器系統的圖。
圖2是示出根據本發明構思的實施例的圖像傳感器的框圖。
圖3是示意性地示出根據本發明構思的實施例的圖像傳感器的有源像素傳感器陣列的框圖。
圖4是示出設置在根據本發明構思的實施例的深度像素陣列中的4抽頭結構的深度像素的電路圖。
圖5是示出根據本發明構思的實施例的圖像傳感器的深度像素陣列的示意性平面圖。
圖6是示出根據本發明構思的實施例的圖像傳感器的深度像素陣列的平面圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





