[發明專利]圖像傳感器在審
| 申請號: | 202010122853.8 | 申請日: | 2020-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN111627946A | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
| 發明(設計)人: | 陳暎究;金永燦;權容鉉;林茂燮;鄭泰燮 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張青 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
偏振器陣列,其包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一單位像素至第四單位像素,所述偏振器陣列包括分別設置在所述第一單位像素至所述第四單位像素中的偏振光柵,其中,所述第一單位像素至所述第四單位像素的所述偏振光柵具有彼此不同的偏振方向;以及
深度像素陣列,其包括分別對應于所述第一單位像素至所述第四單位像素的深度像素,所述深度像素中的每一個深度像素包括光電轉換裝置、以及共同連接至所述光電轉換裝置的第一讀取電路和第二讀取電路。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一讀取電路和所述第二讀取電路中的每一個包括:
浮動擴散節點;以及
光電柵電極,其連接在所述光電轉換裝置與所述浮動擴散節點之間。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器,其中,所述第一讀取電路和所述第二讀取電路中的每一個還包括:
轉移柵電極,其位于所述光電柵電極與所述浮動擴散節點之間;
存儲柵電極,其位于所述轉移柵電極與所述光電柵電極之間;以及
俘獲柵電極,其位于所述光電柵電極與所述存儲柵電極之間。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,還包括:微透鏡陣列,其包括分別對應于所述第一單位像素至所述第四單位像素的多個微透鏡,
其中,當在剖視圖中看時,所述偏振器陣列設置在所述微透鏡陣列與所述深度像素陣列之間。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一單位像素至所述第四單位像素分別包括第一偏振光柵至第四偏振光柵,
所述第一偏振光柵平行于所述第一方向延伸,
所述第二偏振光柵在相對于所述第一方向成45°角的方向上延伸,
所述第三偏振光柵平行于所述第二方向延伸,
所述第四偏振光柵在相對于所述第一方向成135°角的方向上延伸,并且
所述第一單位像素至所述第四單位像素在順時針方向上順序地布置。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述第一單位像素和所述第二單位像素在所述第一方向上彼此相鄰地設置,
所述第一單位像素和所述第二單位像素的所述第一讀取電路相對于平行于所述第二方向的線并且在所述第一單位像素與所述第二單位像素之間以鏡面對稱方式設置,并且
所述第一單位像素和所述第二單位像素的所述第二讀取電路相對于所述線并且在所述第一單位像素與所述第二單位像素之間以鏡面對稱方式設置。
7.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其中,在所述深度像素中的每一個深度像素中,所述第一讀取電路和所述第二讀取電路在所述第一方向上彼此相鄰地布置。
8.根據權利要求6所述的圖像傳感器,其中,在所述深度像素中的每一個深度像素中,所述第一讀取電路和所述第二讀取電路在與所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向上彼此相鄰地布置。
9.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中,所述深度像素陣列的所述深度像素中的每一個深度像素還包括共享所述光電轉換裝置的第三讀取電路和第四讀取電路。
10.根據權利要求9所述的圖像傳感器,其中,所述第三讀取電路和所述第四讀取電路中的每一個包括:
浮動擴散節點;以及
光電柵電極,其連接在所述光電轉換裝置與所述浮動擴散節點之間。
11.根據權利要求9所述的圖像傳感器,其中,所述第一單位像素的所述第一讀取電路至所述第四讀取電路和所述第二單位像素的所述第一讀取電路至所述第四讀取電路相對于平行于所述第二方向的線并且在所述第一單位像素與所述第二單位像素之間以鏡面對稱方式設置,并且
所述第一單位像素和所述第二單位像素的所述第一讀取電路至所述第四讀取電路和所述第三單位像素和所述第四單位像素的所述第一讀取電路至所述第四讀取電路相對于平行于所述第一方向的線以鏡面對稱方式設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





