[發(fā)明專利]低輸出電流和高開/關(guān)比的抗變化3T3R二進制權(quán)重單元在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010122849.1 | 申請日： | 2020-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN111640463A | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | R.M.哈徹;T.拉克希特;J.基特爾;R.森古普塔;D.帕爾;洪俊顧 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00;G11C11/402 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邵亞麗 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輸出 電流 變化 t3r 二進制 權(quán)重 單元 | ||
1.一種權(quán)重單元，包括：
第一場效應(yīng)晶體管FET和連接到第一FET的漏極的第一電阻性存儲器元件；
第二FET和連接到所述第二FET的漏極的第二電阻性存儲器元件，所述第一FET的漏極連接到所述第二FET的柵極，并且所述第二FET的漏極連接到所述第一FET的柵極，
第三FET；以及
連接到所述第三FET的漏極的負載電阻器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第一FET、所述第二FET和所述第三FET包括n型FET。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第一FET、所述第二FET和所述第三FET包括p型FET。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第一電阻性存儲器元件和所述第二電阻性存儲器元件包括磁隧道結(jié)MTJ。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第一電阻性存儲器元件和所述第二電阻性存儲器元件包括電阻性隨機存取存儲器RRAM元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第一電阻性存儲器元件和所述第二電阻性存儲器元件包括鐵電隨機存取存儲器FeRAM元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第一電阻性存儲器元件和所述第二電阻性存儲器元件包括脈沖編碼調(diào)制PCM存儲器元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述第三FET的柵極連接到所述第一FET的柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一電阻性存儲器元件的引線的第一外部連接和到所述第二電阻性存儲器元件的引線的第二外部連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的權(quán)重單元，還包括到所述第一FET的源極的第三外部連接和到所述第二FET的源極的第四外部連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的權(quán)重單元，還包括到所述第三FET的源極的第三外部連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的權(quán)重單元，其中，所述權(quán)重單元基于所述第一電阻性存儲器元件的電導(dǎo)和所述第二電阻性存儲器元件的電導(dǎo)產(chǎn)生邏輯值。
13.一種設(shè)備，包括：
權(quán)重單元陣列，每個權(quán)重單元包括：
第一場效應(yīng)晶體管FET和連接到第一FET的漏極的第一電阻性存儲器元件；
第二FET和連接到所述第二FET的漏極的第二電阻性存儲器元件，所述第一FET的漏極連接到所述第二FET的柵極，并且所述第二FET的漏極連接到所述第一FET的柵極，
第三FET；以及
連接到所述第三FET的漏極負載電阻器；以及
處理器，被配置為通過以下方式對所述權(quán)重單元陣列執(zhí)行推斷：
根據(jù)相應(yīng)神經(jīng)元的邏輯值，從所述權(quán)重單元陣列中為行權(quán)重單元設(shè)置輸入；以及
從所述權(quán)重單元陣列中讀取列權(quán)重單元的輸出。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述處理器還被配置為通過測量來自所讀取的輸出的總電流并將所述總電流除以輸出電流來執(zhí)行推斷。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述第一電阻性存儲器元件和所述第二電阻性存儲器元件包括磁隧道結(jié)MTJ。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述第一FET、所述第二FET和所述第三FET包括n型FET。
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