[發(fā)明專利]一種2.5D封裝器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010121127.4 | 申請日: | 2020-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111341673A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李駿 | 申請(專利權(quán))人: | 通富微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/367;H01L29/06 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 226000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 2.5 封裝 器件 | ||
1.一種2.5D封裝器件,其特征在于,所述封裝器件包括:
第一封裝體,包括至少一個大芯片、至少一個小芯片,所述大芯片包括相背設置的第一功能面和第一非功能面,所述小芯片包括相背設置的第二功能面和第二非功能面,所述第一非功能面設置有凹槽,至少一個所述小芯片的所述第二功能面倒裝固定于所述凹槽內(nèi);
具有電互連結(jié)構(gòu)的基板,包括相背設置的承載面和非承載面;
再布線層,位于所述基板的所述承載面與所述大芯片的所述第一功能面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝器件,其特征在于,還包括:
散熱結(jié)構(gòu),位于所述小芯片的所述第二非功能面一側(cè),且所述散熱結(jié)構(gòu)與所述第二非功能面之間通過焊料層固定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝器件,其特征在于,
所述第一封裝體中包括至少兩個所述大芯片,所述散熱結(jié)構(gòu)包括一整個散熱板,所述散熱板覆蓋所有所述大芯片的所述第一非功能面一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝器件,其特征在于,
所述散熱板為平板狀;或者,
所述散熱板包括平板部以及自所述平板部的一側(cè)表面延伸的多個延伸部,相鄰兩個延伸部之間的區(qū)域?qū)粋€所述大芯片,且所述大芯片的側(cè)面與相鄰的所述延伸部接觸;或者,
所述散熱板包括平板部以及自所述平板部的一側(cè)表面延伸的多個延伸部,自所述平板部的一端至另一端方向上,相鄰所述延伸部之間的間隔為第一間隔和第二間隔的交替設置方式,且具有所述第一間隔的相鄰兩個所述延伸部之間的區(qū)域?qū)粋€所述大芯片,且所述大芯片的側(cè)面與相鄰的所述延伸部接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝器件,其特征在于,
所述第一封裝體中包括至少一個所述大芯片,所述散熱結(jié)構(gòu)包括至少一個單獨的散熱板,一個所述大芯片對應一個所述散熱板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝器件,其特征在于,
所述散熱板為平板狀;或者,
所述散熱板為門字型,包括平板部以及自所述平板部的兩端分別延伸的兩個延伸部,所述延伸部與相鄰的所述大芯片的側(cè)面接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝器件,其特征在于,還包括:
塑封層,位于所述散熱結(jié)構(gòu)與所述再布線層之間,且所述大芯片位于所述塑封層內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝器件,其特征在于,
所述再布線層包括層疊設置的第一再布線層和第二再布線層,所述第一再布線層位于所述第一功能面與所述第二再布線層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝器件,其特征在于,所述封裝器件還包括:
第一焊球,位于所述第二再布線層與所述基板的承載面之間;
第二底填膠,位于所述第一功能面與所述基板之間;
第二焊球,位于所述基板的非承載面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝器件,其特征在于,所述封裝器件還包括:
焊料,位于所述第一再布線層與所述第一功能面之間;
第二焊球,位于所述基板的非承載面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





